Deposition of hydrocarbon thin films in plasma and study of their properties

Tenké vrstvy mají široké uplatnění v celé řadě odvětví jako např. v optických komponentech, integrovaných obvodech či jako biomedicínské povlaky. Jednou z metod přípravy tenkých vrstev je plazmochemická depozice z plynné fáze. Cílem této práce bylo prozkoumat vlastnosti nového reaktoru zamýšleného p...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Valtr, Miroslav, 1979- (Autor práce)
Další autoři: Ohlídal, Ivan, 1945- (Vedoucí práce)
Typ dokumentu: VŠ práce nebo rukopis
Jazyk:Angličtina
Vydáno: 2010
Témata:
On-line přístup:http://is.muni.cz/th/13715/prif_d/
Obálka
LEADER 05843ctm a22009137a 4500
001 MUB01000655951
003 CZ BrMU
005 20190908001548.0
008 101010s2010 xr ||||| |||||||||||eng d
STA |a POSLANO DO SKCR  |b 2019-09-10 
035 |a (ISMU-VSKP)80837 
040 |a BOD114  |b cze  |d BOD004 
041 0 |a eng  |b cze 
072 7 |a 539  |x Fyzikální stavba hmoty. Jaderná fyzika. Molekulární fyzika  |2 Konspekt  |9 6 
080 |a 531.715:543.421/.424  |2 MRF 
080 |a 539.216  |2 MRF 
080 |a 539  |2 MRF 
100 1 |a Valtr, Miroslav,  |d 1979-  |7 mub20231193729  |% UČO 13715  |4 dis 
245 1 0 |a Deposition of hydrocarbon thin films in plasma and study of their properties  |h [rukopis] /  |c Miroslav Valtr 
246 1 |a Depozice uhlíkových vrstev v plazmatu a jejich vlastnosti 
260 |c 2010 
300 |a viii, 118 l. 
500 |a Vedoucí práce: Ivan Ohlídal 
502 |a Dizertace (Ph.D.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2010 
520 2 |a Tenké vrstvy mají široké uplatnění v celé řadě odvětví jako např. v optických komponentech, integrovaných obvodech či jako biomedicínské povlaky. Jednou z metod přípravy tenkých vrstev je plazmochemická depozice z plynné fáze. Cílem této práce bylo prozkoumat vlastnosti nového reaktoru zamýšleného pro studium homogenity plazmatu v závislosti na poloze v reaktoru. Za tímto účelem byly nadeponovány série vrstev pro různé depoziční podmínky. Tenké vrstvy byly nadeponovány ve směsi argon-acetylen v radiofrekvenčním pulzním výboji. Kromě běžných parametrů výboje jako je depoziční čas, dodávaný výkon nebo průtok plynů, se zkoumal i vliv parametrů spojených s pulzním režimem, tj. frekvence cyklů a střída. Substráty z monokrystalického křemíku byly umístěny na skleněném držáku uprostřed válcového, horizontálně orientovaného reaktoru. Nadeponované tenké vrstvy byly studovány zejména pomocí spektroskopické elipsometrie a mikroskopie atomárních sil. Disperzní model vrstev byl založen na parametri  |% cze 
520 2 9 |a Thin films are widely used in many applications as optical devices, integrated digital circuits, biomedical coatings, etc. One of the common preparation methods of the films is to use the plasma enhanced chemical vapor deposition. The goal of this work was to examine properties of a new deposition reactor intended for study of plasma homogeneity in dependence on the position in the reactor chamber. Therefore, a basic set of thin films deposited under various deposition conditions was prepared. Thin films were deposited in argon-acetylene gas mixture in a radio-frequency pulsed discharge. Besides common discharge parameters like deposition time, delivered power or flow rate of gases, also the influence of parameters connected with the pulsed mode of operation, i. e. frequency of cycles and duty cycle, was inspected. Silicon single crystal substrates were placed onto a glass holder at the center of a tubular horizontally mounted reactor. Deposited thin films were particularly studied usi  |9 eng 
650 0 7 |a spektroskopická elipsometrie  |7 ph543018  |2 czenas 
650 0 7 |a tenké vrstvy  |7 ph126536  |2 czenas 
650 0 9 |a spectroscopic ellipsometry  |2 eczenas 
650 0 9 |a thin films  |2 eczenas 
655 7 |a disertace  |7 fd132024  |2 czenas 
658 |a Fyzika (čtyřleté)  |b Fyzika plazmatu  |c PřF D-FY4 FYPZ (FYPZ)  |2 CZ-BrMU 
700 1 |a Ohlídal, Ivan,  |d 1945-  |7 ola200208057  |% UČO 2397  |4 ths 
710 2 |a Masarykova univerzita.  |b Ústav fyzikální elektroniky  |7 xx0116219  |4 dgg 
856 4 1 |u http://is.muni.cz/th/13715/prif_d/ 
CAT |c 20101010  |l MUB01  |h 0454 
CAT |a DRIMLOVA  |b 02  |c 20101217  |l MUB01  |h 0950 
CAT |a DRIMLOVA  |b 02  |c 20101217  |l MUB01  |h 0953 
CAT |a NOVAKOVA  |b 02  |c 20101222  |l MUB01  |h 1113 
CAT |c 20110627  |l MUB01  |h 1920 
CAT |c 20110627  |l MUB01  |h 2330 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20110907  |l MUB01  |h 1214 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20111103  |l MUB01  |h 1348 
CAT |a batch  |b 00  |c 20120324  |l MUB01  |h 0142 
CAT |c 20120610  |l MUB01  |h 2014 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20130304  |l MUB01  |h 1135 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20131009  |l MUB01  |h 1527 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20131024  |l MUB01  |h 1101 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20140527  |l MUB01  |h 0743 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20141113  |l MUB01  |h 0712 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20141210  |l MUB01  |h 0807 
CAT |c 20150901  |l MUB01  |h 1446 
CAT |c 20150921  |l MUB01  |h 1407 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20151226  |l MUB01  |h 0128 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20180918  |l MUB01  |h 1317 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190107  |l MUB01  |h 0116 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190522  |l MUB01  |h 0748 
CAT |a HANAV  |b 02  |c 20190908  |l MUB01  |h 0015 
CAT |c 20190910  |l MUB01  |h 1245 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20191211  |l MUB01  |h 1017 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20200323  |l MUB01  |h 2339 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20201101  |l MUB01  |h 0053 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20201126  |l MUB01  |h 0114 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2357 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2358 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2358 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2358 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2359 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 0949 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 1938 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20210724  |l MUB01  |h 1200 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20221014  |l MUB01  |h 1923 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20221014  |l MUB01  |h 1925 
CAT |a FUKSOVAX  |b 02  |c 20230712  |l MUB01  |h 0947 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20230808  |l MUB01  |h 2144 
LOW |a POSLANO DO SKCR  |b 2019-09-10 
994 - 1 |l MUB01  |l MUB01  |m VYSPR  |1 PRIF  |a Přírodovědecká fakulta  |2 PRSFY  |b ÚK sklad - F  |3 K-12648  |5 3145350323  |8 20101217  |f 71  |f Prezenční SKLAD  |q 20180809  |r 20101217  |s dar 
AVA |a SCI50  |b PRIF  |c ÚK sklad - F  |d K-12648  |e available  |t K dispozici  |f 1  |g 0  |h N  |i 0  |j PRSFY