Deposition of hydrocarbon thin films in plasma and study of their properties
Tenké vrstvy mají široké uplatnění v celé řadě odvětví jako např. v optických komponentech, integrovaných obvodech či jako biomedicínské povlaky. Jednou z metod přípravy tenkých vrstev je plazmochemická depozice z plynné fáze. Cílem této práce bylo prozkoumat vlastnosti nového reaktoru zamýšleného p...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Angličtina |
| Vydáno: |
2010
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/13715/prif_d/ |
| Shrnutí: | Tenké vrstvy mají široké uplatnění v celé řadě odvětví jako např. v optických komponentech, integrovaných obvodech či jako biomedicínské povlaky. Jednou z metod přípravy tenkých vrstev je plazmochemická depozice z plynné fáze. Cílem této práce bylo prozkoumat vlastnosti nového reaktoru zamýšleného pro studium homogenity plazmatu v závislosti na poloze v reaktoru. Za tímto účelem byly nadeponovány série vrstev pro různé depoziční podmínky. Tenké vrstvy byly nadeponovány ve směsi argon-acetylen v radiofrekvenčním pulzním výboji. Kromě běžných parametrů výboje jako je depoziční čas, dodávaný výkon nebo průtok plynů, se zkoumal i vliv parametrů spojených s pulzním režimem, tj. frekvence cyklů a střída. Substráty z monokrystalického křemíku byly umístěny na skleněném držáku uprostřed válcového, horizontálně orientovaného reaktoru. Nadeponované tenké vrstvy byly studovány zejména pomocí spektroskopické elipsometrie a mikroskopie atomárních sil. Disperzní model vrstev byl založen na parametri Thin films are widely used in many applications as optical devices, integrated digital circuits, biomedical coatings, etc. One of the common preparation methods of the films is to use the plasma enhanced chemical vapor deposition. The goal of this work was to examine properties of a new deposition reactor intended for study of plasma homogeneity in dependence on the position in the reactor chamber. Therefore, a basic set of thin films deposited under various deposition conditions was prepared. Thin films were deposited in argon-acetylene gas mixture in a radio-frequency pulsed discharge. Besides common discharge parameters like deposition time, delivered power or flow rate of gases, also the influence of parameters connected with the pulsed mode of operation, i. e. frequency of cycles and duty cycle, was inspected. Silicon single crystal substrates were placed onto a glass holder at the center of a tubular horizontally mounted reactor. Deposited thin films were particularly studied usi |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Ivan Ohlídal |
| Fyzický popis: | viii, 118 l. |