Studium epitaxních vrstev pomocí rtg metod
V této diplomové práci jsme se zabývali studiem epitaxních vrstev pomocí rentgenové analýzy. Studovali jsme vzorky s ternárními vrstvami GaAsSb, které je možné použít jako krycí vrstvy pro systémy kvantových teček. Vrstvy byly vyrobeny na (100) GaAs substrátu. Použili jsme kinematickou teorii rentge...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2014
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/357967/prif_m/ |
| LEADER | 04553ctm a22007937a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | MUB01001001581 | ||
| 003 | CZ BrMU | ||
| 005 | 20201201131844.0 | ||
| 008 | 140628s2014 xr ||||| |||||||||||cze d | ||
| STA | |a POSLANO DO SKCR |b 2021-02-08 | ||
| 035 | |a (ISMU-VSKP)238897 | ||
| 040 | |a BOD114 |b cze |d BOD004 | ||
| 072 | 7 | |a 539 |x Fyzikální stavba hmoty. Jaderná fyzika. Molekulární fyzika |2 Konspekt |9 6 | |
| 080 | |a 539.186 |2 MRF | ||
| 100 | 1 | |a Bednář, Michal |% UČO 357967 |* [absolvent PřírF MU] |4 dis | |
| 242 | 1 | 0 | |a Study of epitaxial layers using x-ray techniques |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Studium epitaxních vrstev pomocí rtg metod |h [rukopis] / |c Michal Bednář |
| 260 | |c 2014 | ||
| 300 | |a 52 l. | ||
| 500 | |a Vedoucí práce: Ondřej Caha | ||
| 502 | |a Diplomová práce (Mgr.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2014 | ||
| 520 | 2 | |a V této diplomové práci jsme se zabývali studiem epitaxních vrstev pomocí rentgenové analýzy. Studovali jsme vzorky s ternárními vrstvami GaAsSb, které je možné použít jako krycí vrstvy pro systémy kvantových teček. Vrstvy byly vyrobeny na (100) GaAs substrátu. Použili jsme kinematickou teorii rentgenové difrakce k popisu rozložení koncentrace antimonu ve vrstvách GaAsSb. Stejnou teorii jsme využili k analýze strukturních vlastností epitaxních vrstev topologických izolátorů Bi₂Se₃ a BiₓTey [y=dolní index] na BaF₂ (111) substrátu. Na těchto vzorcích s vrstvami topologických izolátorů jsme měřili mřížové parametry a stanovili jsme fáze vrstev. |% cze | |
| 520 | 2 | 9 | |a In this thesis we studied epitaxial layers using X-ray analysis. We analyzed samples with ternary GaAsSb layers, which can be used as a cover layers for systems of quantum dots. The layers were grown on GaAs (100) substrate. We used kinematical theory of X-ray diffraction to describe distribution of antimony concentration in the GaAsSb layer. We used the same theory to analyze structural properties of epitaxial layers of topological insulators Bi₂Se₃ and BiₓTey [y=subscript] on BaF₂ (111) substrate. We measured lattice parameters and we determined phase of the layers on these samples. |9 eng |
| 650 | 0 | 7 | |a epitaxe |7 ph1086055 |2 czenas |
| 650 | 0 | 7 | |a kvantové tečky |7 ph615513 |2 czenas |
| 650 | 0 | 7 | |a rentgenová difrakce |2 CZ-BrMU |
| 650 | 0 | 7 | |a topologie |7 ph116463 |2 czenas |
| 650 | 0 | 9 | |a epitaxy |2 eczenas |
| 650 | 0 | 9 | |a quantum dots |2 eczenas |
| 650 | 0 | 9 | |a topology |2 eczenas |
| 650 | 0 | 9 | |a X-ray diffraction |2 eCZ-BrMU |
| 655 | 7 | |a diplomové práce |7 fd132022 |2 czenas | |
| 655 | 9 | |a master's theses |2 eczenas | |
| 658 | |a Fyzika |b Fyzika kondenzovaných látek |c PřF N-FY KOND (KOND) |2 CZ-BrMU | ||
| 700 | 1 | |a Caha, Ondřej, |d 1979- |7 mub2011649618 |% UČO 4414 |4 ths | |
| 710 | 2 | |a Masarykova univerzita. |b Ústav fyziky kondenzovaných látek |7 mub20211110271 |4 dgg | |
| 856 | 4 | 1 | |u http://is.muni.cz/th/357967/prif_m/ |
| CAT | |c 20140628 |l MUB01 |h 0421 | ||
| CAT | |a RACLAVSKA |b 02 |c 20140711 |l MUB01 |h 1029 | ||
| CAT | |c 20140911 |l MUB01 |h 1614 | ||
| CAT | |c 20140912 |l MUB01 |h 1109 | ||
| CAT | |a RACLAVSKA |b 02 |c 20141114 |l MUB01 |h 1538 | ||
| CAT | |a RACLAVSKA |b 02 |c 20141114 |l MUB01 |h 1616 | ||
| CAT | |c 20150703 |l MUB01 |h 1242 | ||
| CAT | |c 20150901 |l MUB01 |h 1452 | ||
| CAT | |c 20150921 |l MUB01 |h 1413 | ||
| CAT | |a BATCH |b 00 |c 20151226 |l MUB01 |h 0504 | ||
| CAT | |a SIMCIKOVAX |b 02 |c 20160822 |l MUB01 |h 1353 | ||
| CAT | |a HANAV |b 02 |c 20161106 |l MUB01 |h 2316 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20190108 |l MUB01 |h 0005 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20200323 |l MUB01 |h 2345 | ||
| CAT | |a VACOVAX |b 02 |c 20201008 |l MUB01 |h 0945 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20201102 |l MUB01 |h 0036 | ||
| CAT | |a REPISOVA |b 02 |c 20201201 |l MUB01 |h 1318 | ||
| CAT | |c 20210208 |l MUB01 |h 1138 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20210224 |l MUB01 |h 2247 | ||
| CAT | |a DRIMLOVAX |b 02 |c 20210413 |l MUB01 |h 0912 | ||
| CAT | |c 20210614 |l MUB01 |h 1010 | ||
| CAT | |c 20210614 |l MUB01 |h 1958 | ||
| CAT | |a BATCH |b 00 |c 20210724 |l MUB01 |h 1230 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20221017 |l MUB01 |h 0015 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20230808 |l MUB01 |h 2146 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20231216 |l MUB01 |h 0107 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20240313 |l MUB01 |h 2357 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20240707 |l MUB01 |h 2135 | ||
| LOW | |a POSLANO DO SKCR |b 2021-02-08 | ||
| 994 | - | 1 | |l MUB01 |l MUB01 |m VYSPR |1 PRIF |a Přírodovědecká fakulta |2 PRVFY |b ÚK volný výběr - F |3 K-F-2014-BEDN |5 3145361207 |8 20140711 |f 70 |f Prezenční |q 20180809 |r 20140606 |s dar |
| AVA | |a SCI50 |b PRIF |c ÚK volný výběr - F |d K-F-2014-BEDN |e available |t K dispozici |f 1 |g 0 |h N |i 0 |j PRVFY | ||