Strukturní vlastnosti epitaxních Ge mikrokrystalů na Si
Předložená práce se zabývá studiem struktury epitaxních Ge mikrokrystalů, které se připravují depozicí na Si substrátu obsahujícím pravidelnou síť litograficky vytvořených sloupečků. Krystalová kvalita Ge mikrokrystalů byla studována pomocí rentgenové difrakce metodou mapování reciprokého prostoru....
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2014
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/357604/prif_m/ |
Pro rezervaci/výpůjčku fyzického dokumentu se přihlaste.
| Popis | Stav | Knihovna | Sbírka | Signatura | Poznámky | Čárový kód |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Dostupné Prezenční |
Přírodovědecká fakulta | ÚK volný výběr - F | K-F-2014-ROZB | 3145361206 |