Studium epitaxních vrstev pomocí rtg metod
V této diplomové práci jsme se zabývali studiem epitaxních vrstev pomocí rentgenové analýzy. Studovali jsme vzorky s ternárními vrstvami GaAsSb, které je možné použít jako krycí vrstvy pro systémy kvantových teček. Vrstvy byly vyrobeny na (100) GaAs substrátu. Použili jsme kinematickou teorii rentge...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2014
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/357967/prif_m/ |
| Shrnutí: | V této diplomové práci jsme se zabývali studiem epitaxních vrstev pomocí rentgenové analýzy. Studovali jsme vzorky s ternárními vrstvami GaAsSb, které je možné použít jako krycí vrstvy pro systémy kvantových teček. Vrstvy byly vyrobeny na (100) GaAs substrátu. Použili jsme kinematickou teorii rentgenové difrakce k popisu rozložení koncentrace antimonu ve vrstvách GaAsSb. Stejnou teorii jsme využili k analýze strukturních vlastností epitaxních vrstev topologických izolátorů Bi₂Se₃ a BiₓTey [y=dolní index] na BaF₂ (111) substrátu. Na těchto vzorcích s vrstvami topologických izolátorů jsme měřili mřížové parametry a stanovili jsme fáze vrstev. In this thesis we studied epitaxial layers using X-ray analysis. We analyzed samples with ternary GaAsSb layers, which can be used as a cover layers for systems of quantum dots. The layers were grown on GaAs (100) substrate. We used kinematical theory of X-ray diffraction to describe distribution of antimony concentration in the GaAsSb layer. We used the same theory to analyze structural properties of epitaxial layers of topological insulators Bi₂Se₃ and BiₓTey [y=subscript] on BaF₂ (111) substrate. We measured lattice parameters and we determined phase of the layers on these samples. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Ondřej Caha |
| Fyzický popis: | 52 l. |