Studium epitaxních vrstev pomocí rtg metod - Bednář, Michal (2014)
V této diplomové práci jsme se zabývali studiem epitaxních vrstev pomocí rentgenové analýzy. Studovali jsme vzorky s ternárními vrstvami GaAsSb, které je možné použít jako krycí vrstvy pro systémy kvantových teček. Vrstvy byly vyrobeny na (100) GaAs substrátu. Použili jsme kinematickou teorii rentgenové difrakce k popisu rozložení koncentrace antimonu ve vrstvách GaAsSb. Stejnou teorii jsme využili k analýze strukturních vlastností epitaxních vrstev topologických izolátorů Bi₂Se₃ a BiₓTey [y=dolní index] na BaF₂ (111) substrátu. Na těchto vzorcích s vrstvami topologických izolátorů jsme měřili mřížové parametry a stanovili jsme fáze vrstev.