Strukturní vlastnosti epitaxních Ge mikrokrystalů na Si
Předložená práce se zabývá studiem struktury epitaxních Ge mikrokrystalů, které se připravují depozicí na Si substrátu obsahujícím pravidelnou síť litograficky vytvořených sloupečků. Krystalová kvalita Ge mikrokrystalů byla studována pomocí rentgenové difrakce metodou mapování reciprokého prostoru....
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2014
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/357604/prif_m/ |
| Shrnutí: | Předložená práce se zabývá studiem struktury epitaxních Ge mikrokrystalů, které se připravují depozicí na Si substrátu obsahujícím pravidelnou síť litograficky vytvořených sloupečků. Krystalová kvalita Ge mikrokrystalů byla studována pomocí rentgenové difrakce metodou mapování reciprokého prostoru. Rozměry a tvary Ge mikrokrystalů byly analyzovány na základě snímků ze skenovacího elektronového mikroskopu. Proměřeno bylo celkem 24 vzorků s různou geometrií Ge mikrokrystalů, u kterých byl stanoven mřížový parametr v laterálním a vertikálním směru, složky tenzoru deformace a stupeň relaxace. Provedena byla také analýza pološířky difrakčních píků v závislosti na plošném pokrytí Ge mikrokrystaly, která je v práci podrobně diskutována a srovnána s výsledky z jiných publikací. This thesis deals with a study of structure of epitaxial Ge microcrystals, which are produced by deposition on Si substrate containing a regular net of lithographically formed pillars. Crystal structure of Ge microcrystals was studied by x-ray diffraction method called reciprocal space mapping. Sizes and shapes of Ge microcrystals were analyzed using scanning electron microscope micrographs. Series of 24 samples of Ge microcrystals with different geometry was mesured, where their lateral and vertical lattice parameter, components of the strain tensor and the degree of relaxation were determined. We have also performed analysis of diffraction peaks full width at half maximum depending on the coverage of Ge microcrystals. The analysis was discussed and compared in details with other publications. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Mojmír Meduňa |
| Fyzický popis: | 64 l. |