Strukturní vlastnosti epitaxních Ge mikrokrystalů na Si - Rozbořil, Jakub, 1990- (2014)
Předložená práce se zabývá studiem struktury epitaxních Ge mikrokrystalů, které se připravují depozicí na Si substrátu obsahujícím pravidelnou síť litograficky vytvořených sloupečků. Krystalová kvalita Ge mikrokrystalů byla studována pomocí rentgenové difrakce metodou mapování reciprokého prostoru. Rozměry a tvary Ge mikrokrystalů byly analyzovány na základě snímků ze skenovacího elektronového mikroskopu. Proměřeno bylo celkem 24 vzorků s různou geometrií Ge mikrokrystalů, u kterých byl stanoven mřížový parametr v laterálním a vertikálním směru, složky tenzoru deformace a stupeň relaxace. Provedena byla také analýza pološířky difrakčních píků v závislosti na plošném pokrytí Ge mikrokrystaly, která je v práci podrobně diskutována a srovnána s výsledky z jiných publikací.