Optical response of low-dimensional structures

Tato práce se zaměřuje na teoretické a experimentální studium kvantových teček (QD) s prostorově nepřímým přechodem mezi elektrony a děrami. Zkoumali jsme tečky vytvořené ve dvou materiálových systémech, a to (i) InAs/GaAs tečky překryté GaAsSb vrstvou a (ii) SiGe/Si tečky. Vypočítali jsme elektrono...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Klenovský, Petr, 1984- (Autor práce)
Další autoři: Humlíček, Josef, 1947- (Vedoucí práce)
Typ dokumentu: VŠ práce nebo rukopis
Jazyk:Angličtina
Vydáno: 2013
Témata:
On-line přístup:http://is.muni.cz/th/105957/prif_d/
Obálka
LEADER 05440ctm a22008657a 4500
001 MUB01000874526
003 CZ BrMU
005 20141031163254.0
008 131005s2013 xr ||||| |||||||||||eng d
STA |a POSLANO DO SKCR  |b 2020-10-19 
035 |a (ISMU-VSKP)159455 
040 |a BOD114  |b cze  |d BOD004 
072 7 |a 539  |x Fyzikální stavba hmoty. Jaderná fyzika. Molekulární fyzika  |2 Konspekt  |9 6 
080 |a 539.186  |2 MRF 
080 |a 535.371/.375  |2 MRF 
080 |a 537.311.322  |2 MRF 
080 |a 539.183.3  |2 MRF 
080 |a 544.522.121.3  |2 MRF 
100 1 |a Klenovský, Petr,  |d 1984-  |7 mub2013762014  |% UČO 105957  |4 dis 
242 1 0 |a Optical response of low-dimensional structures  |y eng 
245 1 0 |a Optical response of low-dimensional structures  |h [rukopis] /  |c Petr Klenovský 
260 |c 2013 
300 |a 106 s., [1] s. příl. 
500 |a Vedoucí práce: Josef Humlíček 
502 |a Dizertace (Ph.D.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2013 
520 2 |a Tato práce se zaměřuje na teoretické a experimentální studium kvantových teček (QD) s prostorově nepřímým přechodem mezi elektrony a děrami. Zkoumali jsme tečky vytvořené ve dvou materiálových systémech, a to (i) InAs/GaAs tečky překryté GaAsSb vrstvou a (ii) SiGe/Si tečky. Vypočítali jsme elektronovou a excitonovou strukturu těchto systémů. Elektronovou strukturu jsme počítali pomocí metody obálkových funkcí založenou na osmipásové k.p teorii, excitonovou pak pomocí metody konfigurační interakce. Tyto systémy byly experimentálně studovány pomocí fotoluminiscenční spektroskopie. Kvantové tečky InAs překryté vrstvou GaAsSb vykazují přechod od prvního (typ I) k druhému typu (typ II) kvantového uvěznění, tedy od stavu s děrami lokalizovanými v objemu tečky ke stavu, kdy se díry nachází ve vrstvě GaAsSb. Je známo, že tento přechod je spojený s velkým červeným posuvem emise z teček.  |% cze 
520 2 9 |a This thesis deals with theoretical and experimental investigations of type-II quantum dots (QDs). We have studied dots fabricated from two material systems, (i) InAs/GaAs QDs capped by GaAsSb layer, and (ii) SiGe/Si QDs. We have calculated the electronic and excitonic structure of these systems. For the former we have used the envelope function approach based on 8-band k.p theory, the latter has been done using the configuration interaction method. These QDs were experimentally investigated by the photoluminescence spectroscopy. %For experimental investigation of these QDs we have used the photoluminescence spectroscopy. The InAs QDs capped by GaAsSb exhibit, with increasing Sb content, a type-I to type-II transition, i.e.,~transition from a state when holes are confined in the dot volume to a state where they are located in the ternary layer. This transition is known to be associated with a large redshift of the emission from the dots.  |9 eng 
650 0 7 |a elektronová struktura pevných látek  |7 ph265721  |2 czenas 
650 0 7 |a excitony  |7 ph120085  |2 czenas 
650 0 7 |a fotoluminiscence  |7 ph205113  |2 czenas 
650 0 7 |a kvantové tečky  |7 ph615513  |2 czenas 
650 0 7 |a polovodiče  |7 ph124272  |2 czenas 
650 0 9 |a electronic structure of solids  |2 eczenas 
650 0 9 |a excitons  |2 eczenas 
650 0 9 |a photoluminescence  |2 eczenas 
650 0 9 |a quantum dots  |2 eczenas 
650 0 9 |a semiconductors  |2 eczenas 
655 7 |a disertace  |7 fd132024  |2 czenas 
655 9 |a dissertations  |2 eczenas 
658 |a Fyzika (čtyřleté)  |b Fyzika kondenzovaných látek  |c PřF D-FY4 KOND (KOND)  |2 CZ-BrMU 
700 1 |a Humlíček, Josef,  |d 1947-  |7 mzk2002140262  |% UČO 307  |4 ths 
710 2 |a Masarykova univerzita.  |b Ústav fyziky kondenzovaných látek  |7 mub20211110271  |4 dgg 
856 4 1 |u http://is.muni.cz/th/105957/prif_d/ 
CAT |c 20131005  |l MUB01  |h 0422 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20140108  |l MUB01  |h 0815 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20140108  |l MUB01  |h 1133 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20140515  |l MUB01  |h 0723 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20140515  |l MUB01  |h 0727 
CAT |c 20140911  |l MUB01  |h 1613 
CAT |c 20140912  |l MUB01  |h 1107 
CAT |a RACLAVSKA  |b 02  |c 20141023  |l MUB01  |h 1712 
CAT |a RACLAVSKA  |b 02  |c 20141031  |l MUB01  |h 1632 
CAT |c 20150901  |l MUB01  |h 1451 
CAT |c 20150921  |l MUB01  |h 1412 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20151226  |l MUB01  |h 0420 
CAT |a HANAV  |b 02  |c 20180813  |l MUB01  |h 1151 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190108  |l MUB01  |h 0005 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20200323  |l MUB01  |h 2345 
CAT |c 20201019  |l MUB01  |h 1727 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20201102  |l MUB01  |h 0036 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210224  |l MUB01  |h 2247 
CAT |a DRIMLOVAX  |b 02  |c 20210413  |l MUB01  |h 0912 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 1006 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 1954 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20210724  |l MUB01  |h 1224 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20211230  |l MUB01  |h 0922 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20221017  |l MUB01  |h 0015 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20230808  |l MUB01  |h 2146 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20231216  |l MUB01  |h 0107 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20240313  |l MUB01  |h 2357 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20240707  |l MUB01  |h 2135 
LOW |a POSLANO DO SKCR  |b 2020-10-19 
994 - 1 |l MUB01  |l MUB01  |m VYSPR  |1 PRIF  |a Přírodovědecká fakulta  |2 PRSFY  |b ÚK sklad - F  |3 K-12844  |5 3145362092  |8 20141023  |f 71  |f Prezenční SKLAD  |q 20180809  |r 20140606  |s dar 
AVA |a SCI50  |b PRIF  |c ÚK sklad - F  |d K-12844  |e available  |t K dispozici  |f 1  |g 0  |h N  |i 0  |j PRSFY