Studium emise kvantových teček na bázi III-V polovodičů /
V této bakalářské práci se věnujeme popisu fotoluminiscenčních spekter studovaných vzorků InAs kvantových teček překrytých GaAsSb vrstvou připravených metodou epitaxe z organokovových sloučenin. Ve spektrech identifikujeme luminiscenci substrátu, smáčecí vrstvy a teček, které dále zkoumáme v závislo...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2016
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/423893/prif_b/ |
Pro rezervaci/výpůjčku fyzického dokumentu se přihlaste.
| Popis | Stav | Knihovna | Sbírka | Signatura | Poznámky | Čárový kód |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Dostupné Prezenční |
Přírodovědecká fakulta | ÚK volný výběr - F | K-F-2016-STEI | 3145368613 |