Optical response of low-dimensional structures
Tato práce se zaměřuje na teoretické a experimentální studium kvantových teček (QD) s prostorově nepřímým přechodem mezi elektrony a děrami. Zkoumali jsme tečky vytvořené ve dvou materiálových systémech, a to (i) InAs/GaAs tečky překryté GaAsSb vrstvou a (ii) SiGe/Si tečky. Vypočítali jsme elektrono...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Angličtina |
| Vydáno: |
2013
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/105957/prif_d/ |
| Shrnutí: | Tato práce se zaměřuje na teoretické a experimentální studium kvantových teček (QD) s prostorově nepřímým přechodem mezi elektrony a děrami. Zkoumali jsme tečky vytvořené ve dvou materiálových systémech, a to (i) InAs/GaAs tečky překryté GaAsSb vrstvou a (ii) SiGe/Si tečky. Vypočítali jsme elektronovou a excitonovou strukturu těchto systémů. Elektronovou strukturu jsme počítali pomocí metody obálkových funkcí založenou na osmipásové k.p teorii, excitonovou pak pomocí metody konfigurační interakce. Tyto systémy byly experimentálně studovány pomocí fotoluminiscenční spektroskopie. Kvantové tečky InAs překryté vrstvou GaAsSb vykazují přechod od prvního (typ I) k druhému typu (typ II) kvantového uvěznění, tedy od stavu s děrami lokalizovanými v objemu tečky ke stavu, kdy se díry nachází ve vrstvě GaAsSb. Je známo, že tento přechod je spojený s velkým červeným posuvem emise z teček. This thesis deals with theoretical and experimental investigations of type-II quantum dots (QDs). We have studied dots fabricated from two material systems, (i) InAs/GaAs QDs capped by GaAsSb layer, and (ii) SiGe/Si QDs. We have calculated the electronic and excitonic structure of these systems. For the former we have used the envelope function approach based on 8-band k.p theory, the latter has been done using the configuration interaction method. These QDs were experimentally investigated by the photoluminescence spectroscopy. %For experimental investigation of these QDs we have used the photoluminescence spectroscopy. The InAs QDs capped by GaAsSb exhibit, with increasing Sb content, a type-I to type-II transition, i.e.,~transition from a state when holes are confined in the dot volume to a state where they are located in the ternary layer. This transition is known to be associated with a large redshift of the emission from the dots. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Josef Humlíček |
| Fyzický popis: | 106 s., [1] s. příl. |