Optical response of low-dimensional structures - Klenovský, Petr, 1984- (2013)
Tato práce se zaměřuje na teoretické a experimentální studium kvantových teček (QD) s prostorově nepřímým přechodem mezi elektrony a děrami. Zkoumali jsme tečky vytvořené ve dvou materiálových systémech, a to (i) InAs/GaAs tečky překryté GaAsSb vrstvou a (ii) SiGe/Si tečky. Vypočítali jsme elektronovou a excitonovou strukturu těchto systémů. Elektronovou strukturu jsme počítali pomocí metody obálkových funkcí založenou na osmipásové k.p teorii, excitonovou pak pomocí metody konfigurační interakce. Tyto systémy byly experimentálně studovány pomocí fotoluminiscenční spektroskopie. Kvantové tečky InAs překryté vrstvou GaAsSb vykazují přechod od prvního (typ I) k druhému typu (typ II) kvantového uvěznění, tedy od stavu s děrami lokalizovanými v objemu tečky ke stavu, kdy se díry nachází ve vrstvě GaAsSb. Je známo, že tento přechod je spojený s velkým červeným posuvem emise z teček.