Měření tloušťky metalizace křemíkových desek
V této práci jsme se zabývali studiem tloušťek tenkých vrstev pomocí rentgenové analýzy. Analyzovali jsme vzorky s tenkou vrstvou Pt a TiW na křemíkové desce. Vzorky s TiW vrstvou jsme vyrobili v čistých prostorách UFKL metodou fotolitografie. Desku jsme rozlámali a jednotlivé vzorky jsme různě dlou...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2012
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/357967/prif_b/ |
| LEADER | 04213ctm a22007097a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | MUB01000721070 | ||
| 003 | CZ BrMU | ||
| 005 | 20120730140451.0 | ||
| 008 | 120626s2012 xr ||||| |||||||||||cze d | ||
| STA | |a POSLANO DO SKCR |b 2020-05-07 | ||
| 035 | |a (ISMU-VSKP)225848 | ||
| 040 | |a BOD114 |b cze |d BOD004 | ||
| 072 | 7 | |a 539 |x Fyzikální stavba hmoty. Jaderná fyzika. Molekulární fyzika |2 Konspekt |9 6 | |
| 080 | |a 539.216 |2 MRF | ||
| 100 | 1 | |a Bednář, Michal |% UČO 357967 |* [absolvent PřírF MU] |4 dis | |
| 242 | 1 | 0 | |a Measurement of the thickness of Si wafer metalization |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Měření tloušťky metalizace křemíkových desek |h [rukopis] / |c Michal Bednář |
| 260 | |c 2012 | ||
| 300 | |a 37 l. | ||
| 500 | |a Vedoucí práce: Mojmír Meduňa | ||
| 502 | |a Bakalářská práce (Bc.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2012 | ||
| 520 | 2 | |a V této práci jsme se zabývali studiem tloušťek tenkých vrstev pomocí rentgenové analýzy. Analyzovali jsme vzorky s tenkou vrstvou Pt a TiW na křemíkové desce. Vzorky s TiW vrstvou jsme vyrobili v čistých prostorách UFKL metodou fotolitografie. Desku jsme rozlámali a jednotlivé vzorky jsme různě dlouho leptali v peroxidu vodíku, abychom získali různě tenké vrstvy. Vzorky s vrstvami Pt a TiW jsme zkoumali metodami rentgenové odrazivosti, práškové difrakce a s použitím profilometru za účelem určení tloušťek, drsností a složení vrstev. Ze získaných dat jsme popsali proces leptání TiW vrstvy. |% cze | |
| 520 | 2 | 9 | |a In this work we studied the thickness of thin layers using X-ray analysis. We analyzed samples with a thin layer of Pt and TiW on silicon wafer. We produced the samples with a layer of TiW in clean rooms UFKL by photolithography. We broke the wafer and etched these samples in hydrogen peroxide for different time in order to obtain different thickness of layers. We examined samples with layers of Pt and TiW by methods of X-ray reflectivity, powder diffraction and using a pronTometer in order to determine the thickness, roughness and composition of the layers. Analyzing the obtained we described the process of etching TiW layer. |9 eng |
| 650 | 0 | 7 | |a tenké vrstvy |7 ph126536 |2 czenas |
| 650 | 0 | 9 | |a thin films |2 eczenas |
| 655 | 7 | |a bakalářské práce |7 fd132403 |2 czenas | |
| 658 | |a Fyzika |b Fyzika |c PřF B-FY FYZ (FYZ) |2 CZ-BrMU | ||
| 700 | 1 | |a Meduňa, Mojmír, |d 1974- |7 mub2011623557 |% UČO 7898 |4 ths | |
| 710 | 2 | |a Masarykova univerzita. |b Přírodovědecká fakulta. |b Fyzikální sekce |7 kn20020321517 |4 dgg | |
| 856 | 4 | 1 | |u http://is.muni.cz/th/357967/prif_b/ |
| CAT | |c 20120626 |l MUB01 |h 0423 | ||
| CAT | |a HANAV |b 02 |c 20120711 |l MUB01 |h 1423 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20120712 |l MUB01 |h 1340 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20120718 |l MUB01 |h 0823 | ||
| CAT | |a RACLAVSKA |b 02 |c 20120720 |l MUB01 |h 1538 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20120726 |l MUB01 |h 1016 | ||
| CAT | |a NOVAKOVA |b 02 |c 20120730 |l MUB01 |h 1404 | ||
| CAT | |a BATCH |b 00 |c 20130304 |l MUB01 |h 1432 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20130730 |l MUB01 |h 0746 | ||
| CAT | |c 20140911 |l MUB01 |h 1609 | ||
| CAT | |c 20140912 |l MUB01 |h 1103 | ||
| CAT | |c 20150901 |l MUB01 |h 1449 | ||
| CAT | |c 20150921 |l MUB01 |h 1410 | ||
| CAT | |a BATCH |b 00 |c 20151226 |l MUB01 |h 0244 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20180826 |l MUB01 |h 1454 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20180826 |l MUB01 |h 1505 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20190109 |l MUB01 |h 1226 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20190129 |l MUB01 |h 0937 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20190129 |l MUB01 |h 0941 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20190129 |l MUB01 |h 0953 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20190227 |l MUB01 |h 0752 | ||
| CAT | |c 20200507 |l MUB01 |h 1113 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20201030 |l MUB01 |h 0223 | ||
| CAT | |c 20210614 |l MUB01 |h 0959 | ||
| CAT | |c 20210614 |l MUB01 |h 1948 | ||
| CAT | |a BATCH |b 00 |c 20210724 |l MUB01 |h 1214 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20210819 |l MUB01 |h 1726 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20230808 |l MUB01 |h 2127 | ||
| LOW | |a POSLANO DO SKCR |b 2020-05-07 | ||
| 994 | - | 1 | |l MUB01 |l MUB01 |m VYSPR |1 PRIF |a Přírodovědecká fakulta |2 PRSFY |b ÚK sklad - F |3 K-12792 |5 3145355512 |8 20120720 |f 71 |f Prezenční SKLAD |q 20180809 |r 20120720 |s dar |
| AVA | |a SCI50 |b PRIF |c ÚK sklad - F |d K-12792 |e available |t K dispozici |f 1 |g 0 |h N |i 0 |j PRSFY | ||