Povrchová úprava krystalického křemíku v bariérovém výboji

Tato práce se věnuje studiu povrchových modifikací krystalického křemíku (c-Si) v bariérovém výboji buzeném za atmosférického tlaku ve vzduchu. V experimentech byl využíván koplanární bariérový výboj (DCSBD) a byl studován vliv parametrů výboje a délky expozice na změnu vlastností povrchu křemíkovýc...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Haničinec, Martin (Autor práce)
Další autoři: Sťahel, Pavel (Vedoucí práce)
Typ dokumentu: VŠ práce nebo rukopis
Jazyk:Čeština
Vydáno: 2010
Témata:
On-line přístup:http://is.muni.cz/th/269665/prif_b/
Obálka
LEADER 04211ctm a22008297a 4500
001 MUB01000647016
003 CZ BrMU
005 20100813132339.0
008 100708s2010 xr ||||| |||||||||||cze d
STA |a POSLANO DO SKCR  |b 2019-05-27 
035 |a (ISMU-VSKP)185807 
040 |a BOD114  |b cze  |d BOD004 
072 7 |a 53  |x Fyzika  |2 Konspekt  |9 6 
080 |a 533.9  |2 MRF 
080 |a 539.216  |2 MRF 
080 |a 53  |2 MRF 
100 1 |a Haničinec, Martin  |% UČO 269665  |* [absolvent PřírF MU]  |4 dis 
242 1 0 |a Surface modification of crystalline silicon in barrier discharge  |y eng 
245 1 0 |a Povrchová úprava krystalického křemíku v bariérovém výboji  |h [rukopis] /  |c Martin Haničinec 
260 |c 2010 
300 |a 46 l. 
500 |a Vedoucí práce: Pavel Sťahel 
502 |a Bakalářská práce (Bc.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2010 
520 2 |a Tato práce se věnuje studiu povrchových modifikací krystalického křemíku (c-Si) v bariérovém výboji buzeném za atmosférického tlaku ve vzduchu. V experimentech byl využíván koplanární bariérový výboj (DCSBD) a byl studován vliv parametrů výboje a délky expozice na změnu vlastností povrchu křemíkových desek. Cílem práce bylo určení parametrů výboje pro efektivní povrchové opracování.  |% cze 
520 2 9 |a This thesis studies the surface modifications of crystalline silicon (c-Si) in barrier discharge generated in the atmospheric pressure in the air. Mainly, the diffuse coplanar surface barrier discharge (DCSBD) was used and experiments have been done, to study the influence of the discharge parameters and the exposure time on the silicon surface properties. Finding out the parameters for effective surface modifications was the objective of this study.  |9 eng 
650 0 7 |a plazma (fyzika)  |7 ph215328  |2 czenas 
650 0 7 |a tenké vrstvy  |7 ph126536  |2 czenas 
650 0 9 |a plasma (ionized gases)  |2 eczenas 
650 0 9 |a thin films  |2 eczenas 
655 7 |a bakalářské práce  |7 fd132403  |2 czenas 
658 |a Fyzika  |b Fyzika  |c PřF B-FY FYZ (FYZ)  |2 CZ-BrMU 
700 1 |a Sťahel, Pavel  |7 mub2011665695  |4 ths 
710 2 |a Masarykova univerzita.  |b Přírodovědecká fakulta.  |b Fyzikální sekce  |7 kn20020321517  |4 dgg 
856 4 1 |u http://is.muni.cz/th/269665/prif_b/ 
CAT |c 20100708  |l MUB01  |h 0451 
CAT |a KRIZOVA  |b 02  |c 20100806  |l MUB01  |h 0837 
CAT |a NOVAKOVA  |b 02  |c 20100813  |l MUB01  |h 1323 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20110209  |l MUB01  |h 1321 
CAT |c 20110627  |l MUB01  |h 1920 
CAT |c 20110627  |l MUB01  |h 2329 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20111019  |l MUB01  |h 0929 
CAT |a HANAV  |b 02  |c 20111024  |l MUB01  |h 1127 
CAT |a batch  |b 00  |c 20120324  |l MUB01  |h 0140 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20120510  |l MUB01  |h 0733 
CAT |c 20120610  |l MUB01  |h 2010 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20120726  |l MUB01  |h 1016 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20130304  |l MUB01  |h 1113 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20130730  |l MUB01  |h 0745 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20131218  |l MUB01  |h 1002 
CAT |c 20150901  |l MUB01  |h 1446 
CAT |c 20150921  |l MUB01  |h 1407 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20151226  |l MUB01  |h 0117 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20180826  |l MUB01  |h 1454 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20180826  |l MUB01  |h 1504 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190109  |l MUB01  |h 1226 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190129  |l MUB01  |h 0937 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190129  |l MUB01  |h 0941 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190129  |l MUB01  |h 0952 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190227  |l MUB01  |h 0752 
CAT |c 20190527  |l MUB01  |h 1025 
CAT |a PTICHAX  |b 02  |c 20200603  |l MUB01  |h 2302 
CAT |a PTICHAX  |b 02  |c 20200603  |l MUB01  |h 2302 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20201030  |l MUB01  |h 0223 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 0948 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 1937 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20210724  |l MUB01  |h 1158 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210819  |l MUB01  |h 1726 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20230808  |l MUB01  |h 2127 
LOW |a POSLANO DO SKCR  |b 2019-05-27 
994 - 1 |l MUB01  |l MUB01  |m VYSPR  |1 PRIF  |a Přírodovědecká fakulta  |2 PRSFY  |b ÚK sklad - F  |3 K-12608  |5 3145349052  |8 20100806  |a 2010  |f 71  |f Prezenční SKLAD  |q 20180809  |r 20100806  |s dar 
AVA |a SCI50  |b PRIF  |c ÚK sklad - F  |d K-12608  |e available  |t K dispozici  |f 1  |g 0  |h N  |i 0  |j PRSFY