Analýza morfologie horních rozhraní tenkých vrstev GaN pomocí mikroskopie atomové síly
Tato práce se zabývá studiem morfologie horních rozhraní GaN vrstev pomocí AFM mikroskopie. K popisu této morfologie je použito v praxi významných statistických veličin, které charakterizují náhodně drsné povrchy. Určení těchto veličin bylo provedeno různými statistickými metodami, a také vyhodnocen...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2006.
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/105986/prif_b/ |
| Shrnutí: | Tato práce se zabývá studiem morfologie horních rozhraní GaN vrstev pomocí AFM mikroskopie. K popisu této morfologie je použito v praxi významných statistických veličin, které charakterizují náhodně drsné povrchy. Určení těchto veličin bylo provedeno různými statistickými metodami, a také vyhodnocením z profilů vzorků. Získané údaje byly mezi sebou porovnány. Ukazuje se, že obě metody dávají stejné výsledky. V rámci práce se studoval také vliv AFM hrotu na výslednou kvalitu naměřených dat. This work describes morphology of GaN thin films upper boundaries by the AFM. To description the morphology are used statistics which characterizing randomly rough surfaces. Determination of these statistics is performed in various methods. Evaluation of the statistics is performed from the data profile too. These values are mutually compared. It is shown that the both methods are providing the same values. Within the frame of this work has been studied influence the AFM tip to data quality. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Ivan Ohlídal. |
| Fyzický popis: | 44 s. |
| Bibliografie: | Bibliografie na s. 43-44. |