Studium emise kvantových teček na bázi III-V polovodičů /
V této bakalářské práci se věnujeme popisu fotoluminiscenčních spekter studovaných vzorků InAs kvantových teček překrytých GaAsSb vrstvou připravených metodou epitaxe z organokovových sloučenin. Ve spektrech identifikujeme luminiscenci substrátu, smáčecí vrstvy a teček, které dále zkoumáme v závislo...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2016
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/423893/prif_b/ |
| Shrnutí: | V této bakalářské práci se věnujeme popisu fotoluminiscenčních spekter studovaných vzorků InAs kvantových teček překrytých GaAsSb vrstvou připravených metodou epitaxe z organokovových sloučenin. Ve spektrech identifikujeme luminiscenci substrátu, smáčecí vrstvy a teček, které dále zkoumáme v závislosti na teplotě a budící intenzitě laseru. Pro smáčecí vrstvu vytvoříme jednoduchý model sloužící k odhadnutí její tloušťky. Kvantové tečky navíc studujeme pomocí polarizačních měření, kde v závislosti na typu uvěznění byla předpovězena anizotropie podél krystalografických směrů [1-10], případně [110]. In this thesis we describe the photoluminesce spectra of the studied InAs/GaAs/GaAsSb quantum dots prepared by Metalorganic vapour phase epitaxy. In the spectra we recognise the luminesce of the substrate, wetting layer, and dots and we further examine the dependence on the temperature and the excitation laser intensity of the spectra. In case of the wetting layer we create a simple model to estimate its thickness. Moreover, we study the polarization anisotropy of the emission from quantum dots which is predicted to be along [1-10] and [110] crystalographic diractions. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Petr Klenovský |
| Fyzický popis: | 51 listů |