Emise III-V heterostruktur v GaP matrici pro paměti QD-Flash /

Vybudovali jsme novou optickou cestu umožňující studium vzorků s různými tloušťkami GaAs vrstvy na GaP substrátu pomocí metody fotoluminiscenční spektroskopie. Zaměřili jsme se zejména na vliv intenzity čerpání a teploty vzorků na jejich emisi. V prvním případě jsme pozorovali při navyšování výkonu...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Zažímal, František (Dissertant)
Other Authors: Klenovský, Petr, 1984- (Thesis advisor)
Format: Thesis Manuscript
Language:Czech
Published: 2019
Subjects:
Online Access:http://is.muni.cz/th/k4cij/
Cover Image
For reservations/loans of the physical document, please log in.
Description Status Library Collection Call Number Notes Barcode
Available
In house loan
Faculty of Science ÚK volný výběr - F K-F-2019-ZAŽÍ 3145376464