Emise III-V heterostruktur v GaP matrici pro paměti QD-Flash /
Vybudovali jsme novou optickou cestu umožňující studium vzorků s různými tloušťkami GaAs vrstvy na GaP substrátu pomocí metody fotoluminiscenční spektroskopie. Zaměřili jsme se zejména na vliv intenzity čerpání a teploty vzorků na jejich emisi. V prvním případě jsme pozorovali při navyšování výkonu...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2019
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/k4cij/ |
Pro rezervaci/výpůjčku fyzického dokumentu se přihlaste.
| Popis | Stav | Knihovna | Sbírka | Signatura | Poznámky | Čárový kód |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Dostupné Prezenční |
Přírodovědecká fakulta | ÚK volný výběr - F | K-F-2019-ZAŽÍ | 3145376464 |