Plazmová úprava povrchu krystalického křemíku

V předložené diplomové práci studujeme plazmové úpravy krystalického křemíku s využitím difúzního koplanárního povrchového bariérového výboje (DCSBD) buzeného za atmosférického tlaku. Byly studovány povrchové vlastnosti křemíku po plazmové úpravě a vliv podmínek opracování, krystalografické orientac...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Haničinec, Martin (Autor práce)
Další autoři: Sťahel, Pavel (Vedoucí práce)
Typ dokumentu: VŠ práce nebo rukopis
Jazyk:Čeština
Vydáno: 2012
Témata:
On-line přístup:http://is.muni.cz/th/269665/prif_m/
Obálka
LEADER 04623ctm a22008417a 4500
001 MUB01000721600
003 CZ BrMU
005 20120830135158.0
008 120628s2012 xr ||||| |||||||||||cze d
STA |a POSLANO DO SKCR  |b 2020-05-07 
035 |a (ISMU-VSKP)230278 
040 |a BOD114  |b cze  |d BOD004 
072 7 |a 533  |x Mechanika plynů. Aeromechanika. Fyzika plazmatu  |2 Konspekt  |9 6 
080 |a 533.9  |2 MRF 
100 1 |a Haničinec, Martin  |% UČO 269665  |* [absolvent PřírF MU]  |4 dis 
242 1 0 |a Plasma surface modification of crystalline silicon  |y eng 
245 1 0 |a Plazmová úprava povrchu krystalického křemíku  |h [rukopis] /  |c Martin Haničinec 
260 |c 2012 
300 |a 78 l. 
500 |a Vedoucí práce: Pavel Sťahel 
502 |a Diplomová práce (Mgr.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2012 
520 2 |a V předložené diplomové práci studujeme plazmové úpravy krystalického křemíku s využitím difúzního koplanárního povrchového bariérového výboje (DCSBD) buzeného za atmosférického tlaku. Byly studovány povrchové vlastnosti křemíku po plazmové úpravě a vliv podmínek opracování, krystalografické orientace křemíku a pracovního plynu na výslednou modifikaci a stárnutí povrchu. Vlastnosti povrchové vrstvy křemíkového substrátu po plazmovém opracování byly studovány technikami, jako AFM, SEM a EDX a byla též určována povrchová energie a smáčivost modifikovaných povrchů.  |% cze 
520 2 9 |a In the present work we study plasma modifications of crystalline silicon surface in diffuse coplanar barrier discharge (DCSBD) generated in atmospheric pressure. Properties of plasma modified silicon surface were studied and the influences of processing conditions, crystallographic orientation of silicon surface and various working gases on the plasma modification of the surface and its aging. Surface properties of silicon substrate after plasma modification were studied by the means of AFM, SEM and EDX. Also the surface energy and wettability of plasma modified surfaces were measured.  |9 eng 
650 0 7 |a bariérový výboj  |2 CZ-BrMU 
650 0 7 |a křemík  |7 ph122083  |2 czenas 
650 0 7 |a plazma (fyzika)  |7 ph215328  |2 czenas 
650 0 9 |a barrier discharge  |2 eCZ-BrMU 
650 0 9 |a plasma (ionized gases)  |2 eczenas 
650 0 9 |a silicon  |2 eczenas 
655 7 |a diplomové práce  |7 fd132022  |2 czenas 
658 |a Fyzika  |b Fyzika plazmatu  |c PřF N-FY PLAZ (PLAZ)  |2 CZ-BrMU 
700 1 |a Sťahel, Pavel  |7 mub2011665695  |4 ths 
710 2 |a Masarykova univerzita.  |b Ústav fyzikální elektroniky  |7 xx0116219  |4 dgg 
856 4 1 |u http://is.muni.cz/th/269665/prif_m/ 
CAT |c 20120628  |l MUB01  |h 0421 
CAT |a RACLAVSKA  |b 02  |c 20120720  |l MUB01  |h 1348 
CAT |a NOVAKOVA  |b 02  |c 20120830  |l MUB01  |h 1351 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20130304  |l MUB01  |h 1433 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20131218  |l MUB01  |h 1002 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20140527  |l MUB01  |h 0743 
CAT |c 20140911  |l MUB01  |h 1610 
CAT |c 20140912  |l MUB01  |h 1104 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20141113  |l MUB01  |h 0712 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20141210  |l MUB01  |h 0807 
CAT |c 20150703  |l MUB01  |h 1206 
CAT |c 20150901  |l MUB01  |h 1449 
CAT |c 20150921  |l MUB01  |h 1410 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20151226  |l MUB01  |h 0245 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20180918  |l MUB01  |h 1318 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190107  |l MUB01  |h 0116 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190522  |l MUB01  |h 0748 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20191211  |l MUB01  |h 1017 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20200323  |l MUB01  |h 2339 
CAT |c 20200507  |l MUB01  |h 1114 
CAT |a PTICHAX  |b 02  |c 20200603  |l MUB01  |h 2302 
CAT |a PTICHAX  |b 02  |c 20200603  |l MUB01  |h 2302 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20201101  |l MUB01  |h 0053 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20201126  |l MUB01  |h 0114 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2357 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2358 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2358 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2359 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2359 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 0959 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 1948 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20210724  |l MUB01  |h 1215 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20221014  |l MUB01  |h 1924 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20221014  |l MUB01  |h 1925 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20230808  |l MUB01  |h 2144 
LOW |a POSLANO DO SKCR  |b 2020-05-07 
994 - 1 |l MUB01  |l MUB01  |m VYSPR  |1 PRIF  |a Přírodovědecká fakulta  |2 PRSFY  |b ÚK sklad - F  |3 K-12774  |5 3145355453  |8 20120720  |f 71  |f Prezenční SKLAD  |q 20180809  |r 20120720  |s dar 
AVA |a SCI50  |b PRIF  |c ÚK sklad - F  |d K-12774  |e available  |t K dispozici  |f 1  |g 0  |h N  |i 0  |j PRSFY