Mapování dopantu v polovodiči pomocí pomalých elektronů

Práce se zabývá mapováním dopantu v křemíku prostřednictvím detekce emitovaných elektronů v rastrovací a fotoemisní elektronové mikroskopii. Za tímto účelem byly v Laboratoři polovodičů na Masarykově univerzitě vyrobeny testovací struktury s různou koncentrací bóru či fosforu v obrazcích rozmístěnýc...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Hovorka, Miloš (Autor práce)
Další autoři: Frank, Luděk, 1946- (Vedoucí práce)
Typ dokumentu: VŠ práce nebo rukopis
Jazyk:Čeština
Vydáno: 2011
Témata:
křemík
skenovací elektronová mikroskopie
scanning electron microscopy
silicon
disertace
On-line přístup:http://is.muni.cz/th/41410/prif_d/
Obálka
LEADER 05366ctm a22007937a 4500
001 MUB01000684146
003 CZ BrMU
005 20201103094709.0
008 110715s2011 xr ||||| |||||||||||cze d
STA |a POSLANO DO SKCR  |b 2019-12-20 
035 |a (ISMU-VSKP)87460 
040 |a BOD114  |b cze  |d BOD004 
072 7 |a 537  |x Elektřina  |2 Konspekt  |9 6 
080 |a 537.533.35  |2 MRF 
080 |a 546.28  |2 MRF 
100 1 |a Hovorka, Miloš  |* [absolvent PřírF MU]  |% UČO 41410  |4 dis 
242 1 0 |a Mapping of dopants in semiconductors with slow electrons  |y eng 
245 1 0 |a Mapování dopantu v polovodiči pomocí pomalých elektronů  |h [rukopis] /  |c Miloš Hovorka 
260 |c 2011 
300 |a 156 l. 
500 |a Vedoucí práce: Luděk Frank 
502 |a Dizertace (Ph.D.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2011 
520 2 |a Práce se zabývá mapováním dopantu v křemíku prostřednictvím detekce emitovaných elektronů v rastrovací a fotoemisní elektronové mikroskopii. Za tímto účelem byly v Laboratoři polovodičů na Masarykově univerzitě vyrobeny testovací struktury s různou koncentrací bóru či fosforu v obrazcích rozmístěných na jednom substrátě. Plošné struktury s odstupňovanou koncentrací příměsí umožňují porovnávat výtěžek signálních elektronů z rozdílně dotovaných p(n)-oblastí za shodných experimentálních podmínek v mikroskopu vybaveném katodovou čočkou. P(n)-oblasti na n(p)-substrátě byly zobrazeny v ultravysokovakuovém rastrovacím elektronovém mikroskopu s katodovou čočkou pomocí elektronového svazku s energií dopadu v jednotkách keV až jednotkách eV. Rozdílný výtěžek sekundárních, popř. odražených elektronů vede ke vzniku kontrastu v obraze mezi odlišně dotovanými oblastmi. Velikost a znaménko kontrastu, a tedy i možnost zobrazení a kvantifikace množství příměsí v křemíku, závisí na energii dopadu elekt  |% cze 
520 2 9 |a The thesis deals with the mapping of dopants in silicon via detection of emitted electrons in the scanning electron microscope and the photoemission electron microscope. Specially designed silicon structures were produced in the clean room laboratory for silicon device technology at the Masaryk University. Patterns of various concentrations of boron or phosphorus were laterally distributed on a common substrate. Such structures allow comparing the electron yield from variously doped p(n)-patterns under consistent conditions in a microscope equipped with the cathode lens. P(n)-type areas on n(p)-type substrate were observed in the UHV scanning low energy electron microscope equipped with the cathode lens. The experimental setup allowed studying samples with arbitrarily low landing energy of the primary electron beam in the range from few keV to units of eV. Different yield of secondary or reflected electrons from variously doped patterns is revealed through the image contrast. The magn  |9 eng 
650 0 7 |a křemík  |7 ph122083  |2 czenas 
650 0 7 |a skenovací elektronová mikroskopie  |7 ph184823  |2 czenas 
650 0 9 |a scanning electron microscopy  |2 eczenas 
650 0 9 |a silicon  |2 eczenas 
655 7 |a disertace  |7 fd132024  |2 czenas 
658 |a Fyzika (čtyřleté)  |b Vlnová a částicová optika  |c PřF D-FY4 VCOP (VCOP)  |2 CZ-BrMU 
700 1 |a Frank, Luděk,  |d 1946-  |7 ola2003193670  |% UČO 255435  |4 ths 
710 2 |a Masarykova univerzita.  |b Ústav fyzikální elektroniky  |7 xx0116219  |4 dgg 
856 4 1 |u http://is.muni.cz/th/41410/prif_d/ 
CAT |c 20110715  |l MUB01  |h 0423 
CAT |a VASICEKX  |b 02  |c 20120315  |l MUB01  |h 1051 
CAT |a batch  |b 00  |c 20120324  |l MUB01  |h 0150 
CAT |a ANTLOVA  |b 02  |c 20120830  |l MUB01  |h 0843 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20130304  |l MUB01  |h 1252 
CAT |a NOVAKOVA  |b 02  |c 20130311  |l MUB01  |h 1105 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20140527  |l MUB01  |h 0743 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20141113  |l MUB01  |h 0712 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20141210  |l MUB01  |h 0807 
CAT |c 20150901  |l MUB01  |h 1447 
CAT |c 20150921  |l MUB01  |h 1409 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20151226  |l MUB01  |h 0204 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20180918  |l MUB01  |h 1317 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190107  |l MUB01  |h 0116 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190522  |l MUB01  |h 0748 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20191211  |l MUB01  |h 1017 
CAT |c 20191220  |l MUB01  |h 1311 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20200323  |l MUB01  |h 2339 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20201101  |l MUB01  |h 0053 
CAT |a PUTNOVAX  |b 02  |c 20201103  |l MUB01  |h 0947 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20201126  |l MUB01  |h 0114 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2357 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2358 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2358 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2358 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2359 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 0954 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 1943 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20210724  |l MUB01  |h 1207 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20221014  |l MUB01  |h 1924 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20221014  |l MUB01  |h 1925 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20230808  |l MUB01  |h 2144 
LOW |a POSLANO DO SKCR  |b 2019-12-20 
994 - 1 |l MUB01  |l MUB01  |m VYSPR  |1 PRIF  |a Přírodovědecká fakulta  |2 PRSFY  |b ÚK sklad - F  |3 K-12664  |5 3145355731  |8 20120830  |f 71  |f Prezenční SKLAD  |q 20180809  |r 20120830  |s dar 
AVA |a SCI50  |b PRIF  |c ÚK sklad - F  |d K-12664  |e available  |t K dispozici  |f 1  |g 0  |h N  |i 0  |j PRSFY 

Podobné jednotky