X-ray diffraction from semiconductor quantum dots

Tato diplomová práce se zabývá studiem struktury uspořádaných SiGe kvantových teček uložených v Si matrici. Užitím molekulární svazkové epitaxe (MBE) bylo vytvořeno celkem 11 vrstev kvantových teček, přičemž první z těchto vrstev byla vytvořena na Si(001) substrátu s pravoúhlou mřížkou tvořenou proh...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Čechal, Tomáš (Autor práce)
Další autoři: Holý, Václav, 1953- (Vedoucí práce)
Typ dokumentu: VŠ práce nebo rukopis
Jazyk:Angličtina
Vydáno: 2009.
Témata:
On-line přístup:http://is.muni.cz/th/133298/prif_m/
Obálka
LEADER 05917ctm a22009617a 4500
001 MUB01000589121
003 CZ BrMU
005 20210430110223.0
008 090627s2009 xr ||||| |||||||||||eng d
STA |a POSLANO DO SKCR  |b 2018-08-31 
035 |a (ISMU-VSKP)149389 
040 |a BOD114  |b cze  |d BOD004 
041 0 |a eng  |b cze 
072 7 |a 53  |x Fyzika  |2 Konspekt  |9 6 
080 |a 535.42  |2 MRF 
080 |a 535-34  |2 MRF 
080 |a 537.311.322  |2 MRF 
080 |a 53  |2 MRF 
100 1 |a Čechal, Tomáš  |* [absolvent PřírF MU]  |% UČO 133298  |4 dis 
242 1 0 |a Rtg difrakce na polovodičových kvantových tečkách  |y cze 
245 1 0 |a X-ray diffraction from semiconductor quantum dots  |h [rukopis] /  |c Tomáš Čechal. 
260 |c 2009. 
300 |a 66 l. :  |b il. 
500 |a Vedoucí práce: Václav Holý. 
502 |a Diplomová práce (Mgr.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2009. 
520 2 |a Tato diplomová práce se zabývá studiem struktury uspořádaných SiGe kvantových teček uložených v Si matrici. Užitím molekulární svazkové epitaxe (MBE) bylo vytvořeno celkem 11 vrstev kvantových teček, přičemž první z těchto vrstev byla vytvořena na Si(001) substrátu s pravoúhlou mřížkou tvořenou prohlubněmi připravenými kombinací litografie s užitím elektronového svazku a reaktivního iontového odprašování (RIE). Kvantové tečky deponované na takto upraveném substrátu vytvářejí pravidelnou mřížku s periodicitou původní sítě prohlubní. Vhodnou volbou vertikální vzdálenosti mezi jednotlivými vrstvami teček bylo docíleno i vertikálního uspořádání zprostředkovaného elastickými deformačními poli vznikajícími kolem teček v předcházejících vrstvách. Byla provedena měření difrakce rentgenového záření v koplanární geometrii a v rámci těchto měření byly pořízeny třírozměrné mapy reciprokého prostoru v okolí substrátových difrakcí (004) a (224). Na základě vhodného modelu struktury vzorku byla v rám.  |% cze 
520 2 9 |a This thesis deals with a study of structural properties of a three-dimensional ordered array of SiGe quantum dots embedded in a Si matrix. Molecular beam epitaxy (MBE) was used to grow a total of 11 layers of quantum dots on Si(001) substrate previously pre-patterned by a combination of electron beam lithography and reactive ion etching (RIE). Quantum dots grown on a pre-patterned substrate form a laterally periodic array with period approximately 70 x 70 nm2; vertical alignment between the subsequent dot layers is also present since the strain fields from the buried dots create preferential nucleation sites right atop the dots of the previous layer. X-Ray diffraction measurements in traditional coplanar geometry were performed in the vicinity of the (004) and (224) substrate reflections and three-dimensional reciprocal-space maps were recorded using a two-dimensional CCD detector. Using a suitable structural model of the quantum dot crystal, the distribution of scattered intensity in .  |9 eng 
650 0 7 |a difrakce  |7 ph119451  |2 czenas 
650 0 7 |a polovodiče  |7 ph124272  |2 czenas 
650 0 7 |a rentgenové záření  |7 ph125192  |2 czenas 
650 0 9 |a diffraction  |2 eczenas 
650 0 9 |a semiconductors  |2 eczenas 
650 0 9 |a X-rays  |2 eczenas 
655 7 |a diplomové práce  |7 fd132022  |2 czenas 
658 |a Fyzika  |b Fyzika kondenzovaných látek  |c PřF N-FY KOND (KOND)  |2 CZ-BrMU 
700 1 |a Holý, Václav,  |d 1953-  |7 ola2003200930  |% UČO 1656  |4 ths 
710 2 |a Masarykova univerzita.  |b Přírodovědecká fakulta.  |b Fyzikální sekce  |7 kn20020321517  |4 dgg 
856 4 1 |u http://is.muni.cz/th/133298/prif_m/ 
CAT |c 20090627  |l MUB01  |h 0451 
CAT |a DRIMLOVA  |b 02  |c 20090701  |l MUB01  |h 1341 
CAT |a DRIMLOVA  |b 02  |c 20090701  |l MUB01  |h 1358 
CAT |a NOVAKOVA  |b 02  |c 20090722  |l MUB01  |h 1009 
CAT |a BATCH-UPD  |b 02  |c 20091102  |l MUB01  |h 0715 
CAT |a BATCH-UPD  |b 02  |c 20091103  |l MUB01  |h 0211 
CAT |c 20091203  |l MUB01  |h 0232 
CAT |c 20091203  |l MUB01  |h 1915 
CAT |a BATCH-UPD  |b 00  |c 20091219  |l MUB01  |h 0816 
CAT |c 20100428  |l MUB01  |h 1013 
CAT |a BATCH-UPD  |b 00  |c 20100501  |l MUB01  |h 1215 
CAT |a BATCH-UPD  |b 00  |c 20100929  |l MUB01  |h 0335 
CAT |c 20110627  |l MUB01  |h 1916 
CAT |c 20110627  |l MUB01  |h 2325 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20110804  |l MUB01  |h 1133 
CAT |a batch  |b 00  |c 20120324  |l MUB01  |h 0126 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20120510  |l MUB01  |h 0732 
CAT |c 20120610  |l MUB01  |h 1947 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20120726  |l MUB01  |h 1016 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20130303  |l MUB01  |h 1110 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20130521  |l MUB01  |h 1501 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20130730  |l MUB01  |h 0745 
CAT |c 20150901  |l MUB01  |h 1444 
CAT |c 20150921  |l MUB01  |h 1405 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20151226  |l MUB01  |h 0023 
CAT |a CERVINKOVX  |b 02  |c 20161112  |l MUB01  |h 1040 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20180826  |l MUB01  |h 1454 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20180826  |l MUB01  |h 1504 
CAT |c 20180831  |l MUB01  |h 1055 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190109  |l MUB01  |h 1226 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190129  |l MUB01  |h 0937 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190129  |l MUB01  |h 0941 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190129  |l MUB01  |h 0952 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190227  |l MUB01  |h 0752 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20201030  |l MUB01  |h 0223 
CAT |a PUTNOVAX  |b 02  |c 20210430  |l MUB01  |h 1102 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 0939 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 1928 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20210724  |l MUB01  |h 1147 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210819  |l MUB01  |h 1726 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20230808  |l MUB01  |h 2127 
LOW |a POSLANO DO SKCR  |b 2018-08-31 
994 - 1 |l MUB01  |l MUB01  |m VYSPR  |1 PRIF  |a Přírodovědecká fakulta  |2 PRFSK  |b ÚK sklad  |3 K-9522  |5 3145345116  |8 20090701  |f 71  |f Prezenční SKLAD  |q 20180420  |r 20090701  |s dar 
AVA |a SCI50  |b PRIF  |c ÚK sklad  |d K-9522  |e available  |t K dispozici  |f 1  |g 0  |h N  |i 0  |j PRFSK