X-ray diffraction from semiconductor quantum dots
Tato diplomová práce se zabývá studiem struktury uspořádaných SiGe kvantových teček uložených v Si matrici. Užitím molekulární svazkové epitaxe (MBE) bylo vytvořeno celkem 11 vrstev kvantových teček, přičemž první z těchto vrstev byla vytvořena na Si(001) substrátu s pravoúhlou mřížkou tvořenou proh...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Angličtina |
| Vydáno: |
2009.
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/133298/prif_m/ |
| Shrnutí: | Tato diplomová práce se zabývá studiem struktury uspořádaných SiGe kvantových teček uložených v Si matrici. Užitím molekulární svazkové epitaxe (MBE) bylo vytvořeno celkem 11 vrstev kvantových teček, přičemž první z těchto vrstev byla vytvořena na Si(001) substrátu s pravoúhlou mřížkou tvořenou prohlubněmi připravenými kombinací litografie s užitím elektronového svazku a reaktivního iontového odprašování (RIE). Kvantové tečky deponované na takto upraveném substrátu vytvářejí pravidelnou mřížku s periodicitou původní sítě prohlubní. Vhodnou volbou vertikální vzdálenosti mezi jednotlivými vrstvami teček bylo docíleno i vertikálního uspořádání zprostředkovaného elastickými deformačními poli vznikajícími kolem teček v předcházejících vrstvách. Byla provedena měření difrakce rentgenového záření v koplanární geometrii a v rámci těchto měření byly pořízeny třírozměrné mapy reciprokého prostoru v okolí substrátových difrakcí (004) a (224). Na základě vhodného modelu struktury vzorku byla v rám. This thesis deals with a study of structural properties of a three-dimensional ordered array of SiGe quantum dots embedded in a Si matrix. Molecular beam epitaxy (MBE) was used to grow a total of 11 layers of quantum dots on Si(001) substrate previously pre-patterned by a combination of electron beam lithography and reactive ion etching (RIE). Quantum dots grown on a pre-patterned substrate form a laterally periodic array with period approximately 70 x 70 nm2; vertical alignment between the subsequent dot layers is also present since the strain fields from the buried dots create preferential nucleation sites right atop the dots of the previous layer. X-Ray diffraction measurements in traditional coplanar geometry were performed in the vicinity of the (004) and (224) substrate reflections and three-dimensional reciprocal-space maps were recorded using a two-dimensional CCD detector. Using a suitable structural model of the quantum dot crystal, the distribution of scattered intensity in . |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Václav Holý. |
| Fyzický popis: | 66 l. : il. |