X-ray diffraction from semiconductor quantum dots - Čechal, Tomáš (2009)
Tato diplomová práce se zabývá studiem struktury uspořádaných SiGe kvantových teček uložených v Si matrici. Užitím molekulární svazkové epitaxe (MBE) bylo vytvořeno celkem 11 vrstev kvantových teček, přičemž první z těchto vrstev byla vytvořena na Si(001) substrátu s pravoúhlou mřížkou tvořenou prohlubněmi připravenými kombinací litografie s užitím elektronového svazku a reaktivního iontového odprašování (RIE). Kvantové tečky deponované na takto upraveném substrátu vytvářejí pravidelnou mřížku s periodicitou původní sítě prohlubní. Vhodnou volbou vertikální vzdálenosti mezi jednotlivými vrstvami teček bylo docíleno i vertikálního uspořádání zprostředkovaného elastickými deformačními poli vznikajícími kolem teček v předcházejících vrstvách. Byla provedena měření difrakce rentgenového záření v koplanární geometrii a v rámci těchto měření byly pořízeny třírozměrné mapy reciprokého prostoru v okolí substrátových difrakcí (004) a (224). Na základě vhodného modelu struktury vzorku byla v rám.