Export byl úspěšný — 

Studium polovodičových multivrstvev prostřednictvím rtg difrakce

Studium polovodičových multivrstev prostřednictvím rtg difrakce Tato práce obsahuje základní informace o metodě rentgenové difrakce a vlastnostech polovodičových multivrstev. Dále obsahuje postup zpracování naměřené intenzity difraktovaného rtg záření v okolí symetrické a asymetrické rtg difrakce s...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Halló, Miroslav (Autor práce)
Další autoři: Meduňa, Mojmír, 1974- (Vedoucí práce)
Typ dokumentu: VŠ práce nebo rukopis
Jazyk:Čeština
Vydáno: 2008.
Témata:
On-line přístup:http://is.muni.cz/th/151313/prif_b/
Obálka
LEADER 05112ctm a22009617a 4500
001 MUB01000541136
003 CZ BrMU
005 20110208082356.0
008 080215s2008 xr ||||| |||||||||||cze d
STA |a POSLANO DO SKCR  |b 2017-05-09 
035 |a (ISMU-VSKP)130952 
040 |a BOD114  |b cze  |d BOD004 
072 7 |a 53  |x Fyzika  |2 Konspekt  |9 6 
080 |a 538.975  |2 MRF 
080 |a 535.42  |2 MRF 
080 |a 53  |2 MRF 
100 1 |a Halló, Miroslav  |% UČO 151313  |4 dis 
245 1 0 |a Studium polovodičových multivrstvev prostřednictvím rtg difrakce  |h [rukopis] /  |c Miroslav Halló. 
246 1 1 |a Investigation of semiconductor multilayers using x-ray diffraction 
260 |c 2008. 
300 |a 41 l. :  |b il. 
500 |a Vedoucí práce: Mojmír Meduňa. 
502 |a Bakalářská práce (Bc.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2008. 
520 2 |a Studium polovodičových multivrstev prostřednictvím rtg difrakce Tato práce obsahuje základní informace o metodě rentgenové difrakce a vlastnostech polovodičových multivrstev. Dále obsahuje postup zpracování naměřené intenzity difraktovaného rtg záření v okolí symetrické a asymetrické rtg difrakce s vysokým rozlišením na polovodičových multivrstvách. Výsledkem jsou mapy rozložení intenzity difraktovaného rtg záření v okolí symetrické a asymetrické rtg difrakce v reciprokém prostoru a z nich zjištěné parametry periodické multivrstvy, vypěstované v laboratoři ve Villingenu.  |% cze 
520 2 9 |a Investigation of semiconductor multilayers using x-ray diffraction This work comprehends basic information about the x-ray diffraction method and the semiconductor multilayers characteristics. Further, it involves the procedure of processing the measured intensity of x-ray diffraction in the surroundings of symetric and asymetric high-resolution x-ray diffraction on the semiconductor multilayers. The results of his work are the maps of distribution of the x-ray diffraction intensity in the surroundings of symetric and asymetric x-ray diffraction in the reciprocal space and the detected periodic multilayer parametres. Multilayer was developed in the Villingen laboratory.  |9 eng 
650 0 7 |a difrakce  |7 ph119451  |2 czenas 
650 0 7 |a fyzika tenkých vrstev  |7 ph134790  |2 czenas 
650 0 9 |a diffraction  |2 eczenas 
650 0 9 |a physics of thin layers  |2 eczenas 
650 0 9 |a thin films  |2 eczenas 
655 7 |a bakalářské práce  |7 fd132403  |2 czenas 
658 |a Fyzika  |b Fyzika pro víceoborové studium  |c PřF B-FY FV, GEV (FV)  |2 CZ-BrMU 
700 1 |a Meduňa, Mojmír,  |d 1974-  |7 mub2011623557  |% UČO 7898  |4 ths 
710 2 |a Masarykova univerzita.  |b Přírodovědecká fakulta.  |b Fyzikální sekce  |7 kn20020321517  |4 dgg 
856 4 1 |u http://is.muni.cz/th/151313/prif_b/ 
CAT |c 20080215  |l MUB01  |h 0450 
CAT |a DRIMLOVA  |b 02  |c 20080407  |l MUB01  |h 0949 
CAT |a NOVAKOVA  |b 02  |c 20080407  |l MUB01  |h 1204 
CAT |c 20080429  |l MUB01  |h 1814 
CAT |c 20080429  |l MUB01  |h 1828 
CAT |a BATCH-UPD  |b 02  |c 20091102  |l MUB01  |h 0636 
CAT |a BATCH-UPD  |b 02  |c 20091103  |l MUB01  |h 0142 
CAT |c 20091203  |l MUB01  |h 0206 
CAT |c 20091203  |l MUB01  |h 1849 
CAT |a BATCH-UPD  |b 00  |c 20091219  |l MUB01  |h 0749 
CAT |c 20100428  |l MUB01  |h 1007 
CAT |a BATCH-UPD  |b 00  |c 20100501  |l MUB01  |h 1148 
CAT |a BATCH-UPD  |b 00  |c 20100929  |l MUB01  |h 0327 
CAT |a KOZOVA  |b 02  |c 20110208  |l MUB01  |h 0823 
CAT |c 20110627  |l MUB01  |h 1909 
CAT |c 20110627  |l MUB01  |h 2317 
CAT |a batch  |b 00  |c 20120324  |l MUB01  |h 0111 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20120510  |l MUB01  |h 0732 
CAT |c 20120610  |l MUB01  |h 1915 
CAT |a HANAV  |b 02  |c 20120711  |l MUB01  |h 1423 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20120726  |l MUB01  |h 1015 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20130303  |l MUB01  |h 0948 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20130730  |l MUB01  |h 0745 
CAT |c 20140127  |l MUB01  |h 1842 
CAT |c 20150703  |l MUB01  |h 1038 
CAT |c 20150901  |l MUB01  |h 1440 
CAT |c 20150921  |l MUB01  |h 1401 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20151225  |l MUB01  |h 2320 
CAT |a PTICHAX  |b 02  |c 20160915  |l MUB01  |h 2054 
CAT |c 20170301  |l MUB01  |h 1213 
CAT |c 20170509  |l MUB01  |h 0931 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20180826  |l MUB01  |h 1453 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20180826  |l MUB01  |h 1504 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190109  |l MUB01  |h 1225 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190129  |l MUB01  |h 0936 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190129  |l MUB01  |h 0940 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190129  |l MUB01  |h 0952 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190227  |l MUB01  |h 0752 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20201030  |l MUB01  |h 0223 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 0930 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 1919 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20210724  |l MUB01  |h 1133 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210819  |l MUB01  |h 1725 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20230808  |l MUB01  |h 2127 
LOW |a POSLANO DO SKCR  |b 2017-05-09 
994 - 1 |l MUB01  |l MUB01  |m VYSPR  |1 PRIF  |a Přírodovědecká fakulta  |2 PRFSK  |b ÚK sklad  |3 K-9627  |5 3145341333  |8 20080407  |f 71  |f Prezenční SKLAD  |q 20180420  |r 20080407  |s dar 
AVA |a SCI50  |b PRIF  |c ÚK sklad  |d K-9627  |e available  |t K dispozici  |f 1  |g 0  |h N  |i 0  |j PRFSK