Meranie pnutia v tenkých vrstvách s využitím rentgenovej difrakcie
V tenkej vrstve deponovanej na substrát obecne existuje interné pnutie, ktoré môže vzniknúť z rôznych príčin, buď priamo pri depozícii vrstvy, alebo pri následnom tepelnom spracovaní. Témou práce je rozpracovať metodiku merania pnutia v tenkých vrstvách zo zakrivenia monokryštalického substrátu pri...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Slovenština |
| Vydáno: |
2007.
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/150754/prif_b/ |
| Shrnutí: | V tenkej vrstve deponovanej na substrát obecne existuje interné pnutie, ktoré môže vzniknúť z rôznych príčin, buď priamo pri depozícii vrstvy, alebo pri následnom tepelnom spracovaní. Témou práce je rozpracovať metodiku merania pnutia v tenkých vrstvách zo zakrivenia monokryštalického substrátu pri vysokoteplotnom žíhaní za použitia goniometru. Výsledkom experimentu by malo byť stanovenie možností tejto metodiky, najmä citlivosti a posúdenie jej vhodnosti pre sledovanie tepelných zmien deponovaných vrstiev. There is an elastic internal stress which in general existsts in thin film deponated on the substrate. This stress can occure in many cases, eather directly by deposition of the film, or by thermal processing. The main aim of this work is to elaborate measurement methodics of stress in thin - film from the curvature of monocrystalic substrate in situ heating and with a use of goniometer. The result of the experiment should be to determine method possobilities, mainly sensibility, and to specificate the usage of monitoring thermal changes in deponated thin layers. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Zdeněk Bochníček. |
| Fyzický popis: | 44 l. |