Studium vlivu složení polovodičových kvantových teček na jejich elektronovou strukturu /
Tato práce se zaměřuje na experimentální a teoretické studium kvantových teček (QDs) připravených z III-V polovodičů epitaxí z organokovových sloučenin. Pro studium byly vybrány tři systémy materiálů: (i) napětím laděné InGaAs QDs, (ii) InAs QDs překryté GaAsSb vrstvou a (iii) InGaAsSb QDs na GaP su...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Angličtina |
| Vydáno: |
2018
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/gz1e3/ |
| LEADER | 05071ctm a22006857i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | MUB01006421277 | ||
| 003 | CZ BrMU | ||
| 005 | 20181116103526.0 | ||
| 008 | 180627s2018 xr ||||| |||||||||||eng d | ||
| STA | |a POSLANO DO SKCR |b 2018-12-17 | ||
| 035 | |a (ISMU-VSKP)314873 | ||
| 040 | |a BOD114 |b cze |d BOD004 |e rda | ||
| 072 | 7 | |a 539 |x Fyzikální stavba hmoty. Jaderná fyzika. Molekulární fyzika |2 Konspekt |9 6 | |
| 080 | |a 539.186 |2 MRF | ||
| 080 | |a (043)378.2 |2 MRF | ||
| 100 | 1 | |a Steindl, Petr |% UČO 423893 |* [absolvent PřírF MU] |4 dis | |
| 242 | 1 | 0 | |a Investigation of the influence of the chemical composition of semiconductor quantum dots on their electronic structure |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Studium vlivu složení polovodičových kvantových teček na jejich elektronovou strukturu / |c Petr Steindl |
| 264 | 0 | |c 2018 | |
| 300 | |a xxii, 94 stran : |b ilustrace | ||
| 336 | |a text |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |a bez média |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |a svazek |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a Vedoucí práce: Petr Klenovský | ||
| 502 | |a Diplomová práce (Mgr.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2018 | ||
| 520 | 2 | |a Tato práce se zaměřuje na experimentální a teoretické studium kvantových teček (QDs) připravených z III-V polovodičů epitaxí z organokovových sloučenin. Pro studium byly vybrány tři systémy materiálů: (i) napětím laděné InGaAs QDs, (ii) InAs QDs překryté GaAsSb vrstvou a (iii) InGaAsSb QDs na GaP substrátu s 5 ML GaAs mezivrstvou. Elektronová stuktura těchto systémů byla počítána pomocí aproximace obálkových funkcí založené na 8-pásové k.p teorii, multičásticové korekce byly zohledněny metodou konfigurační interakce (CI). U systémů (ii) a (iii) byla elektronová struktura navíc studována pomocí fotoluminiscenční (PL) spektroskopie. Pro QDs vyrobené z III-V polovodičů bylo zjištěno, že nelineární členy piezoelektrického jevu dominují nad lineárními. Přestože energii lokalizovaných stavů započtení těchto členů ovlivňuje jen minimálně, pro tečky externě laděné aplikovaným anizotropním napětím byly již dříve prokázány dramatické změny elektrického dipólového momentu, které mohou být popsán |% cze | |
| 520 | 2 | 9 | |a This thesis deals with experimental and theoretical investigations of quantum dots (QDs) fabricated from III-V semiconductors by metalorganic vapour phase epitaxy. Three material systems are considered,i.e., (i) stress tuned InGaAs QDs, (ii) InAs QDs capped by GaAsSb layer, and (iii) InGaAsSb QDs on GaP substrate with GaAs interlayer. The electronic structure of the systems is calculated using the envelope function approach based on 8-band k.p theory with multi-particle corrections considered within the configuration interaction method. Apart from that, for systems (ii) and (iii) we investigate the structures also by the photoluminescence (PL) spectroscopy. The non-linear piezoelectricity in III-V semiconductor QDs was found to be dominant compared to the linear one. Even though the influence of the former on the energy of localised states in QDs is rather small, it was shown previously that dramatic changes of electric dipole moment for dots externally tuned by applied anisotropic st |9 eng |
| 650 | 0 | 7 | |a kvantové tečky |7 ph615513 |2 czenas |
| 650 | 0 | 9 | |a quantum dots |2 eczenas |
| 655 | 7 | |a diplomové práce |7 fd132022 |2 czenas | |
| 655 | 9 | |a master's theses |2 eczenas | |
| 658 | |a Fyzika |b Fyzika kondenzovaných látek |c PřF N-FY KOND (KOND) |2 CZ-BrMU | ||
| 700 | 1 | |a Klenovský, Petr, |d 1984- |7 mub2013762014 |% UČO 105957 |4 ths | |
| 710 | 2 | |a Masarykova univerzita. |b Ústav fyziky kondenzovaných látek |7 mub20211110271 |4 dgg | |
| 856 | 4 | 1 | |u http://is.muni.cz/th/gz1e3/ |
| CAT | |c 20180627 |l MUB01 |h 0421 | ||
| CAT | |a HANAV |b 02 |c 20180813 |l MUB01 |h 1151 | ||
| CAT | |a TRENCANSKA |b 02 |c 20181025 |l MUB01 |h 0844 | ||
| CAT | |a JANA |b 02 |c 20181116 |l MUB01 |h 1035 | ||
| CAT | |c 20181217 |l MUB01 |h 1102 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20190108 |l MUB01 |h 0002 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20190108 |l MUB01 |h 0004 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20190108 |l MUB01 |h 0005 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20190108 |l MUB01 |h 0005 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20200323 |l MUB01 |h 2345 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20201102 |l MUB01 |h 0036 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20210224 |l MUB01 |h 2247 | ||
| CAT | |a DRIMLOVAX |b 02 |c 20210413 |l MUB01 |h 0912 | ||
| CAT | |c 20210614 |l MUB01 |h 1029 | ||
| CAT | |c 20210614 |l MUB01 |h 2015 | ||
| CAT | |a BATCH |b 00 |c 20210724 |l MUB01 |h 1303 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20221017 |l MUB01 |h 0015 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20230808 |l MUB01 |h 2146 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20231216 |l MUB01 |h 0107 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20240313 |l MUB01 |h 2357 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20240707 |l MUB01 |h 2135 | ||
| LOW | |a POSLANO DO SKCR |b 2018-12-17 | ||
| 994 | - | 1 | |l MUB01 |l MUB01 |m VYSPR |1 PRIF |a Přírodovědecká fakulta |2 PRVFY |b ÚK volný výběr - F |3 K-F-2018-STEI |5 3145373886 |8 20181025 |f 70 |f Prezenční |r 20181025 |s dar |
| AVA | |a SCI50 |b PRIF |c ÚK volný výběr - F |d K-F-2018-STEI |e available |t K dispozici |f 1 |g 0 |h N |i 0 |j PRVFY | ||