Vývoj průmyslové technologie přípravy diamantu podobných vrstev /
Tato práce je zaměřena na vývoj průmyslové technologie výroby diamantu podobných uhlíkových vrstev. Cílem je připravit tenké DLC vstvy typu ta-C na průmyslovém povlakovacím zařízení. Vrstvy jsou připraveny odprašováním uhlíkového terče v magnetronové konfiguraci za sníženého tlaku v Ar/CO/CO₂ atmosf...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2016
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/423774/prif_b/ |
| Shrnutí: | Tato práce je zaměřena na vývoj průmyslové technologie výroby diamantu podobných uhlíkových vrstev. Cílem je připravit tenké DLC vstvy typu ta-C na průmyslovém povlakovacím zařízení. Vrstvy jsou připraveny odprašováním uhlíkového terče v magnetronové konfiguraci za sníženého tlaku v Ar/CO/CO₂ atmosféře. Je popsán vliv depozičních parametrů na podíl sp vázaných uhlíkových atomů ve struktuře vrstvy. Podíl sp³ vazeb je určen pomocí Ramanovy spektroskopie. Je sledován vliv depozičního tlaku, teploty, předpětí vzorků, směsi plynů a vliv režimu buzení magnetronového plazmatu. Je využit stejnosměrný režim a pulzní DC režim. Tloušťka je určena metodou spektrofotometrie a prvkové složení metodou EDX. Při optimálních parametrech byla připravena amorfní uhlíková vrstva obsahující přibližně 20 % sp³ vazeb. Metoda EDX ukázala zakomponovaný kyslík ve struktuře vrstvy. Ve výsledku byly připraveny DLC vrstvy typu a-C(:O). This thesis focuses on developing of an industrial technology for deposition of the diamond-like carbon thin films. The goal is to synthesize ta-C thin films using an industrial sputtering system. Thin films were deposited by sputtering of an carbon target in magnetron configuration at low pressure in Ar/CO/CO₂ atmosphere. Evolution of sp³ bonding ratio is examined in effect of deposition pressure, temperature, bias voltage and gas composition. Raman spectroscopy was used to determine sp³ bonding ratio of carbon atoms in the structure of film. Role of the pulsed-DC plasma is also studied. Thickness of thin films was determined by UV/VIS/NIR spectrophotometry. EDX method was used to determine the chemical composition of deposited films. Optimal conditions resulted in preparation of an amorphous carbon film that contains around 20 % of sp³ bonded carbon atoms. Chemical composition shows additive oxygen atoms in the structure of the film. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Petr Vašina |
| Fyzický popis: | 43 listů |