Studium a úprava povrchů skenovacím elektronovým mikroskopem /
V této práci se věnuji problematice použití skenovacího elektronového mikroskopu při zobrazení povrchu polovodičů a jejich úpravou pomocí iontového fokusovaného svazku. Experimentální část práce je provedena na mikroskopu FEI Quanta 3D 200i. Jejím cílem je analýza profilů a tvarů čar vzniklých odprá...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2015
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/408485/prif_b/ |
| Shrnutí: | V této práci se věnuji problematice použití skenovacího elektronového mikroskopu při zobrazení povrchu polovodičů a jejich úpravou pomocí iontového fokusovaného svazku. Experimentální část práce je provedena na mikroskopu FEI Quanta 3D 200i. Jejím cílem je analýza profilů a tvarů čar vzniklých odprášením křemíku pomocí fokusovaného iontového svazku v závislosti na proudu a délce expozice a nalezení optimálního nastavení pro získání kvalitního obrazu v elektronovém i iontovém režimu. In this thesis I use a scanning electron microscope for surfaces of semiconductors and their structuring using a focused ion beam. The experimental part of this work is done on microscope Quanta 3D 200i by FEI. The aim is to analyze profiles and shapes of lines prepared by focused ion beam depending on current and dwell time and obtaining optimal settings for imagining a quality image with electron and ion mode. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Petr Mikulík |
| Fyzický popis: | 53 stran |