Modification of semiconductors and oxides in plasma generated at atmospheric pressure /

Tato disertační práce je věnována studiu modifikace polovodičů a jejich oxidů v plazmatu generovaném za atmosférického tlaku. Jako zdroj plazmatu byl použit difúzní koplanární povrchový bariérový výboj (DCSBD) buzený za atmosférického tlaku v různých pracovních plynech. Byl zkoumán vliv plazmatu na...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Skácelová, Dana (Autor práce)
Další autoři: Černák, Mirko, 1955- (Vedoucí práce)
Typ dokumentu: VŠ práce nebo rukopis
Jazyk:Angličtina
Vydáno: 2014
Témata:
On-line přístup:http://is.muni.cz/th/106528/prif_d/
Obálka
LEADER 05598ctm a22008537i 4500
001 MUB01001018550
003 CZ BrMU
005 20160122113039.0
008 141203s2014 xr ||||| |||||||||||eng d
STA |a POSLANO DO SKCR  |b 2021-03-08 
035 |a (ISMU-VSKP)179720 
040 |a BOD114  |b cze  |d BOD004  |e rda 
072 7 |a 533  |x Mechanika plynů. Aeromechanika. Fyzika plazmatu  |2 Konspekt  |9 6 
080 |a 533.9  |2 MRF 
080 |a 537.311.322  |2 MRF 
080 |a (043.3)  |2 MRF 
100 1 |a Skácelová, Dana  |% UČO 106528  |* [absolvent PřírF MU]  |4 dis 
242 1 0 |a Modifikace polovodičů a oxidů v plazmatu generovaném za atmosférického tlaku  |y cze 
245 1 0 |a Modification of semiconductors and oxides in plasma generated at atmospheric pressure /  |c Dana Skácelová 
264 0 |c 2014 
300 |a xv, 99 stran 
336 |a text  |b txt  |2 rdacontent 
337 |a bez média  |b n  |2 rdamedia 
338 |a svazek  |b nc  |2 rdacarrier 
500 |a Vedoucí práce: Mirko Černák 
502 |a Dizertace (Ph.D.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2014 
520 2 |a Tato disertační práce je věnována studiu modifikace polovodičů a jejich oxidů v plazmatu generovaném za atmosférického tlaku. Jako zdroj plazmatu byl použit difúzní koplanární povrchový bariérový výboj (DCSBD) buzený za atmosférického tlaku v různých pracovních plynech. Byl zkoumán vliv plazmatu na změnu povrchových vlastností krystalického křemíku a SiO2. V závislosti na době expozice, pracovním plynu a krystalografické orientaci křemíku byly stanoveny optimální podmínky plazmového čištění a aktivace povrchu. Pomocí optické emisní spektroskopie, digitální fotografie a počítačového modelování byly zkoumány vlastnosti plazmatu a jeho interakce s opracovávaným vzorkem. Vzhledem k filamentární povaze plazmatu buzeného za atmosférického tlaku byla zkoumána interakce plazmatu se vzorkem během opracování, vliv pracovního plynu a vlhkosti na vlastnosti plazmatu a vliv opracovávaného materiálu na vlastnosti a podobu plazmatu. Dále byla studována plazmová oxidace krystalického křemíku v DCSBD.  |% cze 
520 2 9 |a This thesis is dedicated to the study of modification of semiconductors and their oxides in plasma generated at atmospheric pressure. The plasma modification was carried out using Diffuse Coplanar Surface Barrier Discharge (DCSBD) operating in ambient air and in various gases and their mixtures. The influence of plasma modification on the crystalline silicon surface and silicon dioxide properties were studied. The optimal conditions for plasma cleaning and surface activation were found. Plasma properties and plasma-surface interaction during surface modification were studied by means of the optical emission spectroscopy, digital photography and computer modeling. With respect to the filamentary nature of atmospheric pressure plasmas, the plasma-surface interaction during modification, effects of the operating atmosphere and the humidity on the plasma properties and an influence of the treated material on the plasma properties and appearance were investigated. Further, the plasma oxidat  |9 eng 
650 0 7 |a fyzika plazmatu  |7 ph120429  |2 czenas 
650 0 7 |a plazma (fyzika)  |7 ph215328  |2 czenas 
650 0 7 |a polovodiče  |7 ph124272  |2 czenas 
650 0 9 |a plasma (ionized gases)  |2 eczenas 
650 0 9 |a plasma physics  |2 eczenas 
650 0 9 |a semiconductors  |2 eczenas 
655 7 |a disertace  |7 fd132024  |2 czenas 
655 9 |a dissertations  |2 eczenas 
658 |a Fyzika (čtyřleté)  |b Fyzika plazmatu  |c PřF D-FY4 FYPZ (FYPZ)  |2 CZ-BrMU 
700 1 |a Černák, Mirko,  |d 1955-  |7 mub2011650238  |% UČO 54782  |4 ths 
710 2 |a Masarykova univerzita.  |b Ústav fyzikální elektroniky  |7 xx0116219  |4 dgg 
856 4 1 |u http://is.muni.cz/th/106528/prif_d/ 
CAT |c 20141203  |l MUB01  |h 0422 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20141210  |l MUB01  |h 0800 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20141210  |l MUB01  |h 0808 
CAT |a HANAV  |b 02  |c 20141210  |l MUB01  |h 1143 
CAT |c 20150724  |l MUB01  |h 1145 
CAT |c 20150901  |l MUB01  |h 1452 
CAT |c 20150921  |l MUB01  |h 1414 
CAT |a DRIMLOVA  |b 02  |c 20151120  |l MUB01  |h 1258 
CAT |a DRIMLOVA  |b 02  |c 20151120  |l MUB01  |h 1349 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20151226  |l MUB01  |h 0527 
CAT |a JANA  |b 02  |c 20160122  |l MUB01  |h 1130 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20180918  |l MUB01  |h 1318 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190107  |l MUB01  |h 0117 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190522  |l MUB01  |h 0748 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20191211  |l MUB01  |h 1018 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20200323  |l MUB01  |h 2339 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20201101  |l MUB01  |h 0053 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20201126  |l MUB01  |h 0114 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2357 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2358 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2358 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2359 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210218  |l MUB01  |h 2359 
CAT |c 20210308  |l MUB01  |h 1030 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 1012 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 1959 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20210724  |l MUB01  |h 1234 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20221014  |l MUB01  |h 1924 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20221014  |l MUB01  |h 1925 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20230808  |l MUB01  |h 2144 
LOW |a POSLANO DO SKCR  |b 2021-03-08 
994 - 1 |l MUB01  |l MUB01  |m VYSPR  |1 PRIF  |a Přírodovědecká fakulta  |2 PRVFY  |b ÚK volný výběr - F  |3 K-F-2014-SKÁL  |5 3145366212  |8 20151120  |f 70  |f Prezenční  |q 20180809  |r 20151120  |s dar 
AVA |a SCI50  |b PRIF  |c ÚK volný výběr - F  |d K-F-2014-SKÁL  |e available  |t K dispozici  |f 1  |g 0  |h N  |i 0  |j PRVFY