Studium vybraných struktur pomocí mikroskopie atomárních sil
V tejto bakalárskej práci sa venujeme mikroskopii atómových síl (AFM). Zameriavame sa na princípy, funkciu a bežné chyby tejto experimentálnej metódy. Pomocou AFM zisťujeme vplyv výrobných parametrov, akými sú hrúbka a zloženie krycej vrstvy GaAsSb, na veľkosť a tvar kvantových bodiek InAs. Porovnáv...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Slovenština |
| Vydáno: |
2014
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/394373/prif_b/ |
| Shrnutí: | V tejto bakalárskej práci sa venujeme mikroskopii atómových síl (AFM). Zameriavame sa na princípy, funkciu a bežné chyby tejto experimentálnej metódy. Pomocou AFM zisťujeme vplyv výrobných parametrov, akými sú hrúbka a zloženie krycej vrstvy GaAsSb, na veľkosť a tvar kvantových bodiek InAs. Porovnávame obsah základne a predĺženie kvantových bodiek na desiatich vzorkách pripravených metódou MOVPE. Študujeme tiež rôzne režimy AFM meraní na našich vzorkách. In this bachelor thesis we study quantum dots using atomic force microscopy (AFM). We take a closer look on the principles, function and common artifacts of this experimental method. Using AFM we inspect the effect of growth parameters, e.g. thickness and composition of GaAsSb layers, on the size and shape of InAs quantum dots. We compare the base area and elongation of quantum dots on ten samples grown by the MOVPE method. Furthermore, we study different methods of AFM measurements on our samples. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Petr Klenovský |
| Fyzický popis: | 45 l. |