Strukturní vlastnosti topologických izolantů
V této diplomové práci se zabýváme studiem krystalické struktury epitaxních vrstev topologických izolantů pomocí rentgenové difrakce. Zaměřujeme se zejména na materiály Bi2Te3, BiTe, Bi2Se3, ternární sloučeniny Bi2(Se,Te)3 s různou koncentrací Se/Te a Bi2Te3 s příměsí Mn. Několika různými technikami...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2013
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/324109/prif_m/ |
| Shrnutí: | V této diplomové práci se zabýváme studiem krystalické struktury epitaxních vrstev topologických izolantů pomocí rentgenové difrakce. Zaměřujeme se zejména na materiály Bi2Te3, BiTe, Bi2Se3, ternární sloučeniny Bi2(Se,Te)3 s různou koncentrací Se/Te a Bi2Te3 s příměsí Mn. Několika různými technikami měření rentgenové difrakce je prováděna fázová analýza vrstev, jsou určovány mřížové parametry a koncentrace Se/Te v ternárních sloučeninách a také je studována přítomnost rovin dvojčatění. Naměřené výsledky jsou diskutovány a interpretovány v souvislosti s hledáním struktury s co nejlepšími vlastnostmi. In this thesis we study structural properties of epitaxial layers of the topological insulators by high-resolution x-ray diffraction. We mainly focus on Bi2Te3, BiTe, Bi2Se3, ternary compounds Bi2(Se,Te)3 with different concentration of Se/Te and Bi2Te3 with addition of Mn. Layers were grown by molecular beam epitaxy on BaF2 (111) substrates. By using several different x-ray diffraction techniques phase analysis is conducted, lattice parameters and concentrations of Se/Te in the ternary compounds are determined and presence of twinned lattice planes is studied. Measured results are discussed and interpreted with regard to searching for the structure with the best structural properties. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Ondřej Caha |
| Fyzický popis: | 125 l. |