Reliéfní struktury připravené pomocí elektronové litografie
Dizertační práce je zaměřena na litografické techniky v mikronovém a sub mikronovém rozlišení. Zaměřuje se na technologii elektronové litografie, technologii zápisu do polymerních materiálů (elektronových rezistů), následných procesů zpracování expozice, včetně vyvolání rezistu mokrou cestou. K vyho...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2012
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/43171/prif_d/ |
| Shrnutí: | Dizertační práce je zaměřena na litografické techniky v mikronovém a sub mikronovém rozlišení. Zaměřuje se na technologii elektronové litografie, technologii zápisu do polymerních materiálů (elektronových rezistů), následných procesů zpracování expozice, včetně vyvolání rezistu mokrou cestou. K vyhodnocení struktur připravených zápisem elektronovým svazkem se nejčastěji používá skenování reliéfu pomocí mikroskopu atomárních sil (AFM). Tento způsob vyhodnocení umožňuje mezioperační kontrolu, která není běžně možná s pomocí rastrovací elektronové mikroskopie(SEM). Této metodě je věnována druhá kapitola práce. V další části se práce soustřeďuje na rozptyl elektronů při interakci s pevnou fází (neboli jev blízkosti), který může významně ovlivnit rozlišení struktur zapisovaných elektronovým svazkem. Pochopení a popis tohoto jevu vede k vývoji metod umožňujících omezit vliv tohoto jevu na kvalitu a rozlišení realizovaných struktur. This work deals with lithographic techniques in micron and sub micron resolution. In the first part, the spotlight is focused on e-beam lithography, exposure technology, processing after exposure and resist development. The most useful method used for evaluation of relief structures is atomic force microscopy (AFM), because in contrast with scanning electron microscopy we are able to evaluate the structures in between individual technological steps with AFM. This method is described in the second part. The third part is focused on scattering during the interaction with solid state (proximity effect), which can significantly influence pattern resolution. Understanding of proximity effect leads to development of methods, that can reduce the influence of proximity effect on realized structures' resolution and quality. In this part I describe suggested testing patterns and their microscopy methods evaluation (AFM, SEM, OM, CLSM). |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Vladimír Kolařík |
| Fyzický popis: | 82 l., [52]s. příl. |