Mapování dopantu v polovodiči pomocí pomalých elektronů
Práce se zabývá mapováním dopantu v křemíku prostřednictvím detekce emitovaných elektronů v rastrovací a fotoemisní elektronové mikroskopii. Za tímto účelem byly v Laboratoři polovodičů na Masarykově univerzitě vyrobeny testovací struktury s různou koncentrací bóru či fosforu v obrazcích rozmístěnýc...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2011
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/41410/prif_d/ |
| Shrnutí: | Práce se zabývá mapováním dopantu v křemíku prostřednictvím detekce emitovaných elektronů v rastrovací a fotoemisní elektronové mikroskopii. Za tímto účelem byly v Laboratoři polovodičů na Masarykově univerzitě vyrobeny testovací struktury s různou koncentrací bóru či fosforu v obrazcích rozmístěných na jednom substrátě. Plošné struktury s odstupňovanou koncentrací příměsí umožňují porovnávat výtěžek signálních elektronů z rozdílně dotovaných p(n)-oblastí za shodných experimentálních podmínek v mikroskopu vybaveném katodovou čočkou. P(n)-oblasti na n(p)-substrátě byly zobrazeny v ultravysokovakuovém rastrovacím elektronovém mikroskopu s katodovou čočkou pomocí elektronového svazku s energií dopadu v jednotkách keV až jednotkách eV. Rozdílný výtěžek sekundárních, popř. odražených elektronů vede ke vzniku kontrastu v obraze mezi odlišně dotovanými oblastmi. Velikost a znaménko kontrastu, a tedy i možnost zobrazení a kvantifikace množství příměsí v křemíku, závisí na energii dopadu elekt The thesis deals with the mapping of dopants in silicon via detection of emitted electrons in the scanning electron microscope and the photoemission electron microscope. Specially designed silicon structures were produced in the clean room laboratory for silicon device technology at the Masaryk University. Patterns of various concentrations of boron or phosphorus were laterally distributed on a common substrate. Such structures allow comparing the electron yield from variously doped p(n)-patterns under consistent conditions in a microscope equipped with the cathode lens. P(n)-type areas on n(p)-type substrate were observed in the UHV scanning low energy electron microscope equipped with the cathode lens. The experimental setup allowed studying samples with arbitrarily low landing energy of the primary electron beam in the range from few keV to units of eV. Different yield of secondary or reflected electrons from variously doped patterns is revealed through the image contrast. The magn |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Luděk Frank |
| Fyzický popis: | 1 CD-ROM |