Studium plazmového zdroje buzeného povrchovou vlnou
Táto práca sa venuje štúdiu surfatronu - mikrovlnného zdroja plazmy využívajúceho povrchovú vlnu, obzvlášť jeho využitiu pre opracovanie povrchu materiálov. Výboj bol skúmaný v kontinuálnom aj modulovanom režime dodávania výkonu. V modulovanom režime bol sledovaný vplyv frekvencie pulzov na vlastnos...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Slovenština |
| Vydáno: |
2012
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/270282/prif_m/ |
| Shrnutí: | Táto práca sa venuje štúdiu surfatronu - mikrovlnného zdroja plazmy využívajúceho povrchovú vlnu, obzvlášť jeho využitiu pre opracovanie povrchu materiálov. Výboj bol skúmaný v kontinuálnom aj modulovanom režime dodávania výkonu. V modulovanom režime bol sledovaný vplyv frekvencie pulzov na vlastnosti výboja. Optickou emisnou spektroskopiou bolo určené relatívne zloženie plazmy. Hlavná časť práce sa zaoberá možnosťou opracovania povrchu materiálov surfatronovou plazmou za účelom zvýšenia ich povrchovej energie, ktorá bola určovaná meraním kontaktného uhlu tekutín. Použité materiály boli kremík, polyamid a drevo a pre všetky boli nájdené vhodné podmienky pre ich efektívne opracovanie. Časy na to potrebné sú pritom menšie než 1 s, pre kremík je postačujúce aj opracovanie časom kratším až 50 krát. The aim of this thesis was to study surfatron - surface wave launcher producing microwave plasma discharge, especially its use for plasma surface treatment. The discharge was examined in both continuous and modulated mode of power supply. In the case of modulated mode the influence of pulse frequency was investigated. Relative composition of plasma was determined by optical emission spectroscopy. The main part of the work deals with the possibility of surface plasma treatment of materials in order to increase their surface energy, which was determined by measuring of contact angle of liquids. As materials, we used silicon, polyamide and wood and for all of them suitable conditions for their effective treatment were found. It was shown, that required exposition times were shorter than 1 s, for silicon even 50 times. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Vít Kudrle |
| Fyzický popis: | 90 s. |