Určování pnutí v tenkých vrstvách
Obsahom tejto práce je opis experimentov, ktoré viedli k určeniu napätia v tenkých CN_X vrstvách deponovaných na Si substráte s orientáciou (001). Teoretická časť sa zaoberá všeobecným rozborom napätia a deformácie kontinua a vzťahu medzi nimi. Na základe tohto rozboru je potom vysvetlený Stoneyho v...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Slovenština |
| Vydáno: |
2012
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/324150/prif_b/ |
| Shrnutí: | Obsahom tejto práce je opis experimentov, ktoré viedli k určeniu napätia v tenkých CN_X vrstvách deponovaných na Si substráte s orientáciou (001). Teoretická časť sa zaoberá všeobecným rozborom napätia a deformácie kontinua a vzťahu medzi nimi. Na základe tohto rozboru je potom vysvetlený Stoneyho vzťah. Experimentálna časť opisuje meranie krivosti pomocou RTG difrakcie. The content of this work is description of experiments that led to the identification of stress in thin CN_X films deposited on Si substrate with (001) orientation. The theoretical part deals with the general analysis of stress and deformation of the continuum and the relationship between them. The explanation of the Stoney’s equation is then based on this analysis. Experimental section describes the curvature measurement by X-ray diffraction. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Ondřej Caha |
| Fyzický popis: | 55 l. |