Teplotní stabilita SiGe/Si multivrtev
Předložená práce se zabývá interdifuzí v multivrstvách SiGe s průměrným obsahem germania 50%, kterou studuje za použití metod rentgenové reflektivity a difrakce realizovaných in-situ ve vysokoteplotní vakuové komůrce. Rozsah teplot žíhání jednotlivých vzorků byl 620°C až 750°C, přičemž hledané inter...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2011
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/211075/prif_m/ |
| Shrnutí: | Předložená práce se zabývá interdifuzí v multivrstvách SiGe s průměrným obsahem germania 50%, kterou studuje za použití metod rentgenové reflektivity a difrakce realizovaných in-situ ve vysokoteplotní vakuové komůrce. Rozsah teplot žíhání jednotlivých vzorků byl 620°C až 750°C, přičemž hledané interdifuzní koeficienty pro jednotlivé teploty žíhání jsou z naměřených dat získávány třemi odlišnými způsoby. První způsob spočívá ve sledování poklesu intenzity difrakčního maxima prvního řádu, druhý způsob sleduje pokles plochy pod difrakčním maximem prvního řádu a třetí způsob vychází ze sledování poklesu amplitudy elektronové hustoty ve struktuře multivrstvy získané pomocí simulace naměřených reflexních křivek. Obsahem práce je i porovnání zmíněných metod vyhodnocení. Získáná teplotní závislost interdifuzního koeficientu je proložena Arrheniovskou závislostí difuzního koeficientu na teplotě, odkud je získána hodnota aktivační energie (5,17 ± 0,27) eV. Prefaktor difuze přitom leží v interva In this work interdiffusion in SiGe multilayers with average content of germanium 50% was studied by x-ray reflectivity and x-ray diffraction methods during in-situ annealing in high temperature vacuum chamber. The annealing was realized in temperature range from 620°C to 750°C and the interdiffusion coefficient was extracted from measured data by three different techniques. The first technique was based on monitoring of decrease of first order diffraction peak intensity, the second method monitored decrease of area under first order diffraction peak and the third technique is based on monitoring the decrease of electron density amplitude in multilayer structure generated by simulation of measured reflection curves. The comparison of these three methods of interdiffusion coefficient extraction was done in this work too. Measured temperature dependence of interdiffusion coefficient was fitted by Arrhenius plot and activation energy (5,17 ± 0,27) eV was obtained. Diffusion prefactor lies |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Mojmír Meduňa |
| Fyzický popis: | 95 l. |