Depozice nanokrystalických diamantových vrstev v mikrovlnném výboji

Tato práce se zabývá depozicí nanokrystalických diamantových vrstev na křemíkové substráty plazmochemickou depozicí z plynné fáze v mikrovlnném plazmovém reaktoru zvonovitého tvaru typu ASTeX, který využívá mikrovlnný (2,45 GHz) a vysokofrekvenční (13,56 MHz) výboj. Všechny experimenty popsané v tét...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Šperka, Jiří (Autor práce)
Další autoři: Zajíčková, Lenka, 1971- (Vedoucí práce)
Typ dokumentu: VŠ práce nebo rukopis
Jazyk:Čeština
Vydáno: 2009.
Témata:
On-line přístup:http://is.muni.cz/th/208123/prif_b/
Obálka
LEADER 05726ctm a22009377a 4500
001 MUB01000590177
003 CZ BrMU
005 20150720122535.0
008 090704s2009 xr ||||| |||||||||||cze d
STA |a POSLANO DO SKCR  |b 2018-12-10 
035 |a (ISMU-VSKP)166799 
040 |a BOD114  |b cze  |d BOD004 
072 7 |a 5  |x Přírodní vědy. Matematické vědy  |2 Konspekt  |9 6 
080 |a 543.42-74  |2 MRF 
080 |a 539.216-032.3  |2 MRF 
080 |a 5  |2 MRF 
100 1 |a Šperka, Jiří  |% UČO 208123  |* [absolvent PřírF MU]  |4 dis 
242 1 0 |a Deposition of nanocrystalline diamond films in microwave discharge  |y eng 
245 1 0 |a Depozice nanokrystalických diamantových vrstev v mikrovlnném výboji  |h [rukopis] /  |c Jiří Šperka 
260 |c 2009. 
300 |a 33 l. 
500 |a Vedoucí práce: Lenka Zajíčková. 
502 |a Bakalářská práce (Bc.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2009. 
520 2 |a Tato práce se zabývá depozicí nanokrystalických diamantových vrstev na křemíkové substráty plazmochemickou depozicí z plynné fáze v mikrovlnném plazmovém reaktoru zvonovitého tvaru typu ASTeX, který využívá mikrovlnný (2,45 GHz) a vysokofrekvenční (13,56 MHz) výboj. Všechny experimenty popsané v této práci byly připraveny za stejných depozičních podmínek. Výchozím plynem byl metan zředěný ve vodíku v poměru 9,4/100 za celkového tlaku 7,5 kPa. Teplota substrátu byla asi 900 stupňů Celsia a mikrovlnný výkon 900 W. Doba depozice se pohybovala od jedné do deseti minut. Substrát byl pro nukleaci aktivován pomocí energetických iontů urychlených stejnosměrným předpětím (metoda BEN). Vrstvy byly charakterizovány pomocí FTIR spektroskopie. Program newAD využívající PJDOS disperzní model byl úspěšně využit k fitování nanokrystalických vrstev.  |% cze 
520 2 9 |a This work deals with the deposition of nanocrystalline diamond films on silicon substrates by plasma enhanced chemical vapour deposition in conventional bell jar plasma reactor of ASTeX type using dual frequency discharge, microwave (2,45 GHz) and radio (13,56 MHz) frequency plasma. All experiments described in this work have been prepared with constant parameters. The growth was performed using methane in hydrogen with a 9,4/100 flux ratio at a total pressure of 7,5 kPa. The substrate temperature was about 900 degrees Celsius and microwave power 900 W. In experiments were used deposition times from one minute to ten minutes. The activation of the silicon substrate was performed by ionts accelerated in dc electric field using bias enhanced nucleation method. Films have been charakterized by Fourier transform infrared spectroscopy. This work shows, that the fitting program newAD using PJDOS dispersion model can be successfully applied to nanocrystalline layers.  |9 eng 
650 0 7 |a infračervená spektroskopie  |7 ph318941  |2 czenas 
650 0 7 |a uhlíkové vrstvy  |7 ph388513  |2 czenas 
650 0 9 |a carbon films  |2 eczenas 
650 0 9 |a infrared spectroscopy  |2 eczenas 
655 7 |a bakalářské práce  |7 fd132403  |2 czenas 
658 |a Fyzika  |b Fyzika  |c PřF B-FY FYZ (FYZ)  |2 CZ-BrMU 
700 1 |a Zajíčková, Lenka,  |d 1971-  |7 mub2011667022  |% UČO 1414  |4 ths 
710 2 |a Masarykova univerzita.  |b Přírodovědecká fakulta.  |b Fyzikální sekce  |7 kn20020321517  |4 dgg 
856 4 1 |u http://is.muni.cz/th/208123/prif_b/ 
CAT |c 20090704  |l MUB01  |h 0452 
CAT |a DRIMLOVA  |b 02  |c 20090824  |l MUB01  |h 0722 
CAT |a NOVAKOVA  |b 02  |c 20090828  |l MUB01  |h 1539 
CAT |a BATCH-UPD  |b 02  |c 20091102  |l MUB01  |h 0716 
CAT |a BATCH-UPD  |b 02  |c 20091103  |l MUB01  |h 0211 
CAT |c 20091203  |l MUB01  |h 0233 
CAT |c 20091203  |l MUB01  |h 1916 
CAT |a BATCH-UPD  |b 00  |c 20091219  |l MUB01  |h 0816 
CAT |c 20100428  |l MUB01  |h 1013 
CAT |a BATCH-UPD  |b 00  |c 20100501  |l MUB01  |h 1216 
CAT |a BATCH-UPD  |b 00  |c 20100929  |l MUB01  |h 0336 
CAT |c 20110627  |l MUB01  |h 1917 
CAT |c 20110627  |l MUB01  |h 2326 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20111026  |l MUB01  |h 0949 
CAT |a batch  |b 00  |c 20120324  |l MUB01  |h 0127 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20120510  |l MUB01  |h 0732 
CAT |c 20120610  |l MUB01  |h 1948 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20120726  |l MUB01  |h 1016 
CAT |a HANAV  |b 02  |c 20121008  |l MUB01  |h 2227 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20130303  |l MUB01  |h 1113 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20130730  |l MUB01  |h 0745 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20140115  |l MUB01  |h 1227 
CAT |a FUKSOVAX  |b 02  |c 20150720  |l MUB01  |h 1225 
CAT |c 20150901  |l MUB01  |h 1444 
CAT |c 20150921  |l MUB01  |h 1405 
CAT |a HANAV  |b 02  |c 20151221  |l MUB01  |h 1056 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20151226  |l MUB01  |h 0024 
CAT |a HANAV  |b 02  |c 20160906  |l MUB01  |h 1347 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20180826  |l MUB01  |h 1454 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20180826  |l MUB01  |h 1504 
CAT |c 20181210  |l MUB01  |h 1131 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190109  |l MUB01  |h 1226 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190129  |l MUB01  |h 0937 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190129  |l MUB01  |h 0941 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190129  |l MUB01  |h 0952 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190227  |l MUB01  |h 0752 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20201030  |l MUB01  |h 0223 
CAT |a VACOVAX  |b 02  |c 20201113  |l MUB01  |h 1314 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 0939 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 1928 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20210724  |l MUB01  |h 1147 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210819  |l MUB01  |h 1726 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20230808  |l MUB01  |h 2127 
LOW |a POSLANO DO SKCR  |b 2018-12-10 
994 - 1 |l MUB01  |l MUB01  |m VYSPR  |1 PRIF  |a Přírodovědecká fakulta  |2 PRFSK  |b ÚK sklad  |3 K-9443  |5 3145346139  |8 20090824  |f 71  |f Prezenční SKLAD  |q 20180420  |r 20090824  |s dar 
AVA |a SCI50  |b PRIF  |c ÚK sklad  |d K-9443  |e available  |t K dispozici  |f 1  |g 0  |h N  |i 0  |j PRFSK