Study of dielectric properties and mechanisms of electrical conduction of thin dielectric films prepared by PECVD
Předložená disertační práce se zabývá mechanismy vodivosti tenkých dielektrických vrstev vytvořených plazmochemickou depozicí. Jako pracovní plyny byly při depozici použity hexamethzldisiloxan a kyslík. Meřené vrstvy, tenčí než 1mikrometr, byly v sendvičové struktuře mezi dvěmi hliněnými elektrodami...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Angličtina |
| Vydáno: |
2009.
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/13309/prif_d/ |
| LEADER | 04999ctm a22007097a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | MUB01000589818 | ||
| 003 | CZ BrMU | ||
| 005 | 20100218143105.0 | ||
| 008 | 090702s2009 xr ||||| |||||||||||eng d | ||
| STA | |a POSLANO DO SKCR |b 2018-08-31 | ||
| 035 | |a (ISMU-VSKP)73255 | ||
| 040 | |a BOD114 |b cze |d BOD004 | ||
| 072 | 7 | |a 53 |x Fyzika |2 Konspekt |9 6 | |
| 080 | |a 539.216 |2 MRF | ||
| 080 | |a 533.9 |2 MRF | ||
| 080 | |a 53 |2 MRF | ||
| 100 | 1 | |a Franclová, Jana |% UČO 13309 |4 dis | |
| 242 | 1 | 0 | |a Studium dielektrických vlastností a mechanismu elektrické vodivosti tenkých dielektrických vrstev vytvářených plazmochemickými metodami |y cze |
| 245 | 1 | 0 | |a Study of dielectric properties and mechanisms of electrical conduction of thin dielectric films prepared by PECVD |h [rukopis] / |c Jana Franclová. |
| 260 | |c 2009. | ||
| 300 | |a 78 s., [12] s. obr. příl. | ||
| 500 | |a Vedoucí práce: Jan Janča. | ||
| 502 | |a Dizertace (Ph.D.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2009. | ||
| 520 | 2 | |a Předložená disertační práce se zabývá mechanismy vodivosti tenkých dielektrických vrstev vytvořených plazmochemickou depozicí. Jako pracovní plyny byly při depozici použity hexamethzldisiloxan a kyslík. Meřené vrstvy, tenčí než 1mikrometr, byly v sendvičové struktuře mezi dvěmi hliněnými elektrodami. Elektrické i dielektrické vlastnosti těchto struktur byly měřeny jak při pokojové teplotě tak i při nižších teplotách. Mechanismus elektrické vodivosti není v celém rozsahu přiloženého napětí stejný. Celá naměřená V-A charakteristika může být rozdělena do tří oblastí. První oblast je při napětí nižším než 1V, druhá při napětí mezi 1V a 7V a poslední při přiloženém napětí vyšším než 7V. Dále jsme objevili, že mechanismus elektrické vodivosti se zásadně nemění v oblasti teplot od 209K do 273K. Výška bariéry v této oblasti klesá s klesající teplotou. Závislost vodivosti na frekvenci, popřípadě teplotě, může být vysvětlena několika modely. Vzhledem k naměřeným datům však nelze přesně rozhodnou. |% cze | |
| 520 | 2 | 9 | |a In this thesis we discuss conduction mechanisms in thin dielectric films. We focused in thin films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition using the mixture of hexamethyldisiloxane and oxygen gases. In this work we discussed conduction mechanisms in thin dielectric films, generally less than 1μm thick, sandwiched between plane metal electrodes. Structures were studied at room temperature as well as at lower temperatures. We also studied dielectric properties of samples on silicon substrate. Firstly we found that at room temperature the electrical conduction mechanism is not the same in the whole range of applied voltage. In general all measured V-A characteristics can be divided into three parts according to applied voltage. The first one is when applied voltage is smaller than 1 V, second one from 1 V to approximately 7 V and the last one when the applied voltage is higher than 7 V. Secondly we observed that the mechanism of electrical conductivity is no rapidly changeab. |9 eng |
| 650 | 0 | 7 | |a fyzika plazmatu |7 ph120429 |2 czenas |
| 650 | 0 | 7 | |a tenké vrstvy |7 ph126536 |2 czenas |
| 650 | 0 | 9 | |a plasma physics |2 eczenas |
| 650 | 0 | 9 | |a thin films |2 eczenas |
| 655 | 7 | |a disertace |7 fd132024 |2 czenas | |
| 658 | |a Fyzika (čtyřleté) |b Fyzika plazmatu |c PřF D-FY4 FYPZ (FYPZ) |2 CZ-BrMU | ||
| 700 | 1 | |a Janča, Jan, |d 1938- |7 jk01050790 |% UČO 29 |4 ths | |
| 710 | 2 | |a Masarykova univerzita. |b Katedra fyziky |7 kn20050428006 |4 dgg | |
| 856 | 4 | 1 | |u http://is.muni.cz/th/13309/prif_d/ |
| CAT | |c 20090702 |l MUB01 |h 0452 | ||
| CAT | |c 20091203 |l MUB01 |h 0233 | ||
| CAT | |c 20091203 |l MUB01 |h 1915 | ||
| CAT | |a ANTLOVA |b 02 |c 20100211 |l MUB01 |h 1256 | ||
| CAT | |a NOVAKOVA |b 02 |c 20100218 |l MUB01 |h 1431 | ||
| CAT | |c 20100428 |l MUB01 |h 1013 | ||
| CAT | |a BATCH-UPD |b 00 |c 20100501 |l MUB01 |h 1216 | ||
| CAT | |a BATCH-UPD |b 00 |c 20100929 |l MUB01 |h 0335 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20101208 |l MUB01 |h 0855 | ||
| CAT | |c 20110627 |l MUB01 |h 1917 | ||
| CAT | |c 20110627 |l MUB01 |h 2326 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20110721 |l MUB01 |h 1409 | ||
| CAT | |a batch |b 00 |c 20120324 |l MUB01 |h 0127 | ||
| CAT | |c 20120610 |l MUB01 |h 1948 | ||
| CAT | |a BATCH |b 00 |c 20130303 |l MUB01 |h 1112 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20130424 |l MUB01 |h 0752 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20130926 |l MUB01 |h 1319 | ||
| CAT | |c 20150901 |l MUB01 |h 1444 | ||
| CAT | |c 20150921 |l MUB01 |h 1405 | ||
| CAT | |a BATCH |b 00 |c 20151226 |l MUB01 |h 0024 | ||
| CAT | |c 20180831 |l MUB01 |h 1056 | ||
| CAT | |c 20210614 |l MUB01 |h 0939 | ||
| CAT | |c 20210614 |l MUB01 |h 1928 | ||
| CAT | |a BATCH |b 00 |c 20210724 |l MUB01 |h 1147 | ||
| LOW | |a POSLANO DO SKCR |b 2018-08-31 | ||
| 994 | - | 1 | |l MUB01 |l MUB01 |m VYSPR |1 PRIF |a Přírodovědecká fakulta |2 PRFSK |b ÚK sklad |3 K-9370 |5 3145347614 |8 20100211 |f 71 |f Prezenční SKLAD |q 20180420 |r 20100211 |s dar |
| AVA | |a SCI50 |b PRIF |c ÚK sklad |d K-9370 |e available |t K dispozici |f 1 |g 0 |h N |i 0 |j PRFSK | ||