Vliv reaktivního plynu na depoziční rychlost tenkých vrstev na bázi bóru
Tato práce se zabývá studiem vlivu depozičních parametrů na rychlost růstu bórových vrstev deponovaných v poloprůmyslovém magnetronu Alcatel SCM 650. Do depozičního reaktoru bylo připouštěno malé množství dusíku, metanu nebo jejich směsi. Experimenty byly prováděny pro různá předpětí přiváděná na su...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2008
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/175085/prif_b/ |
| Shrnutí: | Tato práce se zabývá studiem vlivu depozičních parametrů na rychlost růstu bórových vrstev deponovaných v poloprůmyslovém magnetronu Alcatel SCM 650. Do depozičního reaktoru bylo připouštěno malé množství dusíku, metanu nebo jejich směsi. Experimenty byly prováděny pro různá předpětí přiváděná na substrát. Bylo pozorováno snížení depoziční rychlosti všech typů připravovaných vrstev po aplikaci stejnosměrného předpětí. Vrstvy deponované za přítomnosti dusíku a metanu se svými vlastnostmi liší od vrstev připravovaných rozprašováním bórového terče v argonové atmosféře. Jednoznačně jsme prokázali, že uhlík z metanu se zabudovává do rostoucí vrstvy. This work is devoted to study the effect of depositiom paramters on boron thin films deposited in semi-industrial magnetron Alcatel SCM 650. Small amount of nitrogen, methane or their mixture was added into the reactor. The experiments were conducted for various substrate bias voltages. Decrease of deposition rate for all types of the films was observed after the aplication of substrate RF voltage that induced DC self-bias. Thin films deposited with added nitrogen and/or methane had different properties compared to the films deposited by sputtering of boron target in pure argon atmosphere. We proved that carbon from methane is incorporated into the growing film. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Marek Eliáš |
| Fyzický popis: | 44 l. : il. |