Určování deformace tenkých vrstev pomocí rtg difrakce
Tato práce se zabývá studiem deformace tenkých vrstev SiGe slitiny vypěstované na křemíkovém substrátu za pomoci metody rentgenové difrakce. Po teoretickém odvození podmínek, při kterých k difrakci na krystalu dochází, následuje popis konkrétního uspořádání, při kterém byl experiment prováděn. Z nam...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2006.
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/106575/prif_b/ |
| Shrnutí: | Tato práce se zabývá studiem deformace tenkých vrstev SiGe slitiny vypěstované na křemíkovém substrátu za pomoci metody rentgenové difrakce. Po teoretickém odvození podmínek, při kterých k difrakci na krystalu dochází, následuje popis konkrétního uspořádání, při kterém byl experiment prováděn. Z naměřených map rozptýlené intenzity v reciprokém prostoru krystalu jsou určeny parametry vrstvy jako mřížkový parametr, koncentrace germania ve slitině či stupeň relaxace atomů vrstvy. In this work I deal with the study of deformation of the thin layers (SiGe alloy) grown on silicon substrate using the method of X-ray difraction. After the theoretical derivation of the difraction conditions on the crystal, the specific arrangement of the experiment is described. The parametres of the layer such as lattice constant, concentration of germanium in the alloy or the relaxation degree of the layer are determined from the measured maps of the scaterred intensity in the reciprocal space. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Mojmír Meduňa. |
| Fyzický popis: | 50 l. |
| Bibliografie: | Bibliografie na s. 50. |