Elektronové excitace v topologických izolátorech
V predloženej práci sa venujeme štúdiu optickej odozvy topologických izolátorov Bi₂Te₃ na BaF₂ substráte v infračervenom obore. Štúdium je založené na meraní odrazivosti v ďalekej infračervenej oblasti a na elipsometrickom meraní v strednej infračervenej oblasti. Spektrá boli modelované s použitím L...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Slovenština |
| Vydáno: |
2014
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/394157/prif_b/ |
| Shrnutí: | V predloženej práci sa venujeme štúdiu optickej odozvy topologických izolátorov Bi₂Te₃ na BaF₂ substráte v infračervenom obore. Štúdium je založené na meraní odrazivosti v ďalekej infračervenej oblasti a na elipsometrickom meraní v strednej infračervenej oblasti. Spektrá boli modelované s použitím Lorentzovho a Drudeho modelu. Hlavným cieľom je určiť spektrálnu závislosť plošnej vodivosti tenkých vrstiev Bi₂Te₃, z ktorej závislosti na hrúbke je možné hovoriť o vlastnostiach povrchových vodivostných stavov. V práci sa ďalej zameriavame na reprodukovateľnosť a presnosť merania demonštrované na izotrópnych a homogénnych materiáloch. In this bachelor thesis we study optical response of epilayers of topological insulators Bi₂Te₃ on BaF₂ substrate in infrared spectral range. The study is based on measurements of the reflectivity in the far infrared range and the ellipsometry in the mid infrared range. The simulations of the experimental data were performed using Lorentz and Drude models. The main goal was the determination of the spectra of conductance of Bi₂Te₃. Based on them, it is possible to make conclusions about the surface conducting states from the dependence of the conductence on the thickness. We also discuss the reliability of the devices and the correctness of the methods demonstrated on isotropic and homogeneous materials. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Adam Dubroka |
| Fyzický popis: | 39 l. |