Příprava a charakterizace Schottkyho diod
Tato práce se věnuje přípravě a charakterizaci Schottkyho diod. Diody byly připraveny v čistých prostorech. Byly připraveny vzorky se Schottkyho kovem z hliníku a titan-wolframu pro dva různě dopované substráty. Z proměřených volt-ampérových charakteristik byly určeny výšky bariér a faktory ideality...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2013
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/269329/prif_m/ |
| Shrnutí: | Tato práce se věnuje přípravě a charakterizaci Schottkyho diod. Diody byly připraveny v čistých prostorech. Byly připraveny vzorky se Schottkyho kovem z hliníku a titan-wolframu pro dva různě dopované substráty. Z proměřených volt-ampérových charakteristik byly určeny výšky bariér a faktory ideality vyrobených součástek. Pro všechny součástky pak byly určeny hodnoty sériových odporů. Z naměřených dat byla také odhadnuta mezní frekvence usměrňování pro většinu vzorků. Na závěr byly porovnány s komerční diodou BAT43. This work focuses on preparation and characterization of Schottky diodes. Diodes were prepared in clean rooms. Samples with aluminium and titanium-tungsten barrier metal were prepared for substrates with two different impurity concentrations. Schottky barrier heights and ideality factors were determined from measured current-voltage characteristics. Values of series resistance for all samples were also determined. There was also an estimation of the cut-off frequency based on the resistance measurement and calculation of capacitance for most of the samples. At last, diodes were compared to a commercial diode BAT43. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Petr Mikulík |
| Fyzický popis: | 47 l. |