Příprava tranzistorů na křemíku s uhlíkovými nanotrubkami
Předložená práce se zabývá přípravou a charakterizací polovodivých součástek a tranzistorů na křemíkových deskách s využitím uhlíkových nanotrubek. Na deskách byly vyrobeny vodivé struktury, připravené procedurami metalizace a fotolitografie v čistých prostorech. Následně byly na vzorky deponovány n...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2013
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/269067/prif_m/ |
| LEADER | 05239ctm a22008057a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | MUB01000864866 | ||
| 003 | CZ BrMU | ||
| 005 | 20130730092056.0 | ||
| 008 | 130628s2013 xr ||||| |||||||||||cze d | ||
| STA | |a POSLANO DO SKCR |b 2020-10-05 | ||
| 035 | |a (ISMU-VSKP)207295 | ||
| 040 | |a BOD114 |b cze |d BOD004 | ||
| 072 | 7 | |a 621.38 |x Elektronika |2 Konspekt |9 19 | |
| 080 | |a 621.382 |2 MRF | ||
| 080 | |a 620.2-022.532-462 |2 MRF | ||
| 080 | |a 621.382.3 |2 MRF | ||
| 080 | |a 776 |2 MRF | ||
| 100 | 1 | |a Havelka, Jiří |% UČO 269067 |* [absolvent PřírF MU] |4 dis | |
| 242 | 1 | 0 | |a Preparation of transistors on silicon wafers with carbon nanotubes |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Příprava tranzistorů na křemíku s uhlíkovými nanotrubkami |h [rukopis] / |c Jiří Havelka |
| 260 | |c 2013 | ||
| 300 | |a 47 l. | ||
| 500 | |a Vedoucí práce: Petr Mikulík | ||
| 502 | |a Diplomová práce (Mgr.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2013 | ||
| 520 | 2 | |a Předložená práce se zabývá přípravou a charakterizací polovodivých součástek a tranzistorů na křemíkových deskách s využitím uhlíkových nanotrubek. Na deskách byly vyrobeny vodivé struktury, připravené procedurami metalizace a fotolitografie v čistých prostorech. Následně byly na vzorky deponovány nanotrubky a to různými metodami. Na hotových součástkách byla provedena elektrická měření. Z V-A charakteristik bylo zkoumáno rozdílné chování vodivých a polovodivých nanotrubek. U součástek s polovodivou nelineární závislostí byl spočten průběh jednorozměrné hustoty stavů volných elektronů podílejících se na trasportu přes nanotrubky. Z poloh maxim se získala šířka zakázaného pásu pro dané vzorky. Ty byly dále porovnány s teoretickými hodnotami. U vodivých nanotrubek se hodnoty odporů porovnávaly s teoretickou hodnotu odporu pro balistický transport přes jednu jednostěnnou nanotrubici. V závěrečné části práce je porovnání provedených metod depozice. |% cze | |
| 520 | 2 | 9 | |a In the presented work, we deal with preparation and characterization of semiconducting devices and transistors on silicon wafers using carbon nanotubes. First part of the work introduces elementary findings about producing semiconducting devices and their preparation. Especially we study the properties and the preparation of semiconducting devices using metallization and photolithography, and also the properties of carbon nanotubes. After that we illustrate several performed methods of CNTs synthesis on our samples. The last part discusses the achieved results. We measure I-V characteristics of every single semiconducting device, determine corresponding 1D density of states of free electrons. Band gap value of semiconducting nanotubes, calculated from the distance between the nearest subbands near Fermi level, is compared with theoretical values. Resistance of metallic nanotubes are compared as well. We discuss all performed CNTs synthesis procedures. |9 eng |
| 650 | 0 | 7 | |a fotolitografie |7 ph274670 |2 czenas |
| 650 | 0 | 7 | |a nanotrubky |7 ph615515 |2 czenas |
| 650 | 0 | 7 | |a polovodičové součástky |7 ph115802 |2 czenas |
| 650 | 0 | 7 | |a tranzistory |7 ph126722 |2 czenas |
| 650 | 0 | 9 | |a nanotubes |2 eczenas |
| 650 | 0 | 9 | |a photolithography |2 eczenas |
| 650 | 0 | 9 | |a photolitography |2 eczenas |
| 650 | 0 | 9 | |a semiconductor components |2 eczenas |
| 650 | 0 | 9 | |a transistors |2 eczenas |
| 655 | 7 | |a diplomové práce |7 fd132022 |2 czenas | |
| 658 | |a Fyzika |b Fyzika kondenzovaných látek |c PřF N-FY KOND (KOND) |2 CZ-BrMU | ||
| 700 | 1 | |a Mikulík, Petr, |d 1969- |7 mub2013754668 |% UČO 855 |4 ths | |
| 710 | 2 | |a Masarykova univerzita. |b Ústav fyziky kondenzovaných látek |7 mub20211110271 |4 dgg | |
| 856 | 4 | 1 | |u http://is.muni.cz/th/269067/prif_m/ |
| CAT | |c 20130628 |l MUB01 |h 0421 | ||
| CAT | |a RACLAVSKA |b 02 |c 20130708 |l MUB01 |h 1428 | ||
| CAT | |a NOVAKOVA |b 02 |c 20130730 |l MUB01 |h 0920 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20131009 |l MUB01 |h 1420 | ||
| CAT | |c 20140127 |l MUB01 |h 1924 | ||
| CAT | |c 20140911 |l MUB01 |h 1612 | ||
| CAT | |c 20140912 |l MUB01 |h 1106 | ||
| CAT | |c 20150703 |l MUB01 |h 1224 | ||
| CAT | |a DRIMLOVAX |b 02 |c 20150720 |l MUB01 |h 1244 | ||
| CAT | |c 20150901 |l MUB01 |h 1450 | ||
| CAT | |c 20150921 |l MUB01 |h 1412 | ||
| CAT | |a BATCH |b 00 |c 20151226 |l MUB01 |h 0409 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20190108 |l MUB01 |h 0005 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20200323 |l MUB01 |h 2345 | ||
| CAT | |c 20201005 |l MUB01 |h 1143 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20201102 |l MUB01 |h 0036 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20210224 |l MUB01 |h 2247 | ||
| CAT | |a DRIMLOVAX |b 02 |c 20210413 |l MUB01 |h 0912 | ||
| CAT | |c 20210614 |l MUB01 |h 1005 | ||
| CAT | |c 20210614 |l MUB01 |h 1953 | ||
| CAT | |a BATCH |b 00 |c 20210724 |l MUB01 |h 1222 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20221017 |l MUB01 |h 0015 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20230808 |l MUB01 |h 2146 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20231216 |l MUB01 |h 0107 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20240313 |l MUB01 |h 2357 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20240707 |l MUB01 |h 2135 | ||
| LOW | |a POSLANO DO SKCR |b 2020-10-05 | ||
| 994 | - | 1 | |l MUB01 |l MUB01 |m VYSPR |1 PRIF |a Přírodovědecká fakulta |2 PRSFY |b ÚK sklad - F |3 K-12863 |5 3145358338 |8 20130708 |f 71 |f Prezenční SKLAD |q 20180809 |r 20130708 |s dar |
| AVA | |a SCI50 |b PRIF |c ÚK sklad - F |d K-12863 |e available |t K dispozici |f 1 |g 0 |h N |i 0 |j PRSFY | ||