Ramanská spektroskopie silně legovaného Si a slitin SiGe

Hlavním cílem této práce bylo pořídit a analyzovat ramanská spektra silně legovaného křemíku s koncentracemi od 1018 cm-3 od 1019 cm-3. Ve spektrech pozorujeme dominantní fononový pás v blízkosti 520 cm-1, která je překrytý širokou luminiscenční strukturou. U vzorků s vysokou koncentrací lze fononov...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Havelka, Miloslav (Autor práce)
Další autoři: Humlíček, Josef, 1947- (Vedoucí práce)
Typ dokumentu: VŠ práce nebo rukopis
Jazyk:Čeština
Vydáno: 2009.
Témata:
On-line přístup:http://is.muni.cz/th/106547/prif_m/
Obálka
LEADER 05612ctm a22009737a 4500
001 MUB01000589119
003 CZ BrMU
005 20090701144834.0
008 090627s2009 xr ||||| |||||||||||cze d
STA |a POSLANO DO SKCR  |b 2018-08-31 
035 |a (ISMU-VSKP)134686 
040 |a BOD114  |b cze  |d BOD004 
041 0 |a cze  |b eng 
072 7 |a 5  |x Přírodní vědy. Matematické vědy  |2 Konspekt  |9 6 
080 |a 537.531  |2 MRF 
080 |a 543.424.2  |2 MRF 
080 |a 5  |2 MRF 
100 1 |a Havelka, Miloslav  |% UČO 106547  |* [absolvent PřírF MU]  |4 dis 
242 1 0 |a Raman spectroscopy of heavily doped Si and SiGE alloys  |y eng 
245 1 0 |a Ramanská spektroskopie silně legovaného Si a slitin SiGe  |h [rukopis] /  |c Miloslav Havelka. 
260 |c 2009. 
300 |a 84 l. :  |b il. 
500 |a Vedoucí práce: Josef Humlíček. 
502 |a Diplomová práce (Mgr.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2009. 
520 2 |a Hlavním cílem této práce bylo pořídit a analyzovat ramanská spektra silně legovaného křemíku s koncentracemi od 1018 cm-3 od 1019 cm-3. Ve spektrech pozorujeme dominantní fononový pás v blízkosti 520 cm-1, která je překrytý širokou luminiscenční strukturou. U vzorků s vysokou koncentrací lze fononový pás dobře proložit symetrickým Voigtovým profilem, u vzorků s vysokou koncentrací asymetrickým Fanovým profilem. Příčinou asymetrie pásu je interakce fononu s intervalenčním elektronovým kontinuem. Luminiscenční struktura je dobře popsána součtem Gaussových profilů. Spektra byla měřena při teplotách od pokojové teploty po teplotu kapalného dusíku. V práci sledujeme vývoj hodnot parametrů modelových závislostí s měnící se teplotou.  |% cze 
520 2 9 |a The main goal of this thesis is to investigate Raman spectra of heavily doped silicon, covering the dopant concentration from 1018 cm-3 to 1019 cm-3. We have observed a dominant Raman-active phonon peak close to the wavenumber of 520 cm-1, superposed on a broad luminescence structrure. The phonon peak is fitted well by the composite Lorentz-Gauss (Voigt) profile in spectra of samples with lighter doping. In the spectra of samples of the highest free hole concentration, we observe a pronounced asymmetry described well by Fano profile. This effect is caused by the coupling of the lattice vibration line with the continuum of electronic transitions. The luminiscence structure is reproduced fairly well by a sum of Gaussian profiles. We have covered the range from liquid nitrogen to room temperature, and specified the temperature evolution of relevant model parameters.  |9 eng 
650 0 7 |a elektromagnetické záření  |7 ph135373  |2 czenas 
650 0 7 |a Ramanova spektroskopie  |7 ph191241  |2 czenas 
650 0 9 |a electromagnetic radiation  |2 eczenas 
650 0 9 |a electromagnetics radiation  |2 eczenas 
650 0 9 |a Raman spectroscopy  |2 eczenas 
655 7 |a diplomové práce  |7 fd132022  |2 czenas 
658 |a Fyzika  |b Fyzika kondenzovaných látek  |c PřF N-FY KOND (KOND)  |2 CZ-BrMU 
700 1 |a Humlíček, Josef,  |d 1947-  |7 mzk2002140262  |% UČO 307  |4 ths 
710 2 |a Masarykova univerzita.  |b Přírodovědecká fakulta.  |b Fyzikální sekce  |7 kn20020321517  |4 dgg 
856 4 1 |u http://is.muni.cz/th/106547/prif_m/ 
CAT |c 20090627  |l MUB01  |h 0451 
CAT |a DRIMLOVA  |b 02  |c 20090701  |l MUB01  |h 1008 
CAT |a NOVAKOVA  |b 02  |c 20090701  |l MUB01  |h 1448 
CAT |a BATCH-UPD  |b 02  |c 20091102  |l MUB01  |h 0715 
CAT |a BATCH-UPD  |b 02  |c 20091103  |l MUB01  |h 0211 
CAT |c 20091203  |l MUB01  |h 0232 
CAT |c 20091203  |l MUB01  |h 1915 
CAT |a BATCH-UPD  |b 00  |c 20091219  |l MUB01  |h 0816 
CAT |c 20100428  |l MUB01  |h 1013 
CAT |a BATCH-UPD  |b 00  |c 20100501  |l MUB01  |h 1215 
CAT |a BATCH-UPD  |b 00  |c 20100929  |l MUB01  |h 0335 
CAT |c 20110627  |l MUB01  |h 1916 
CAT |c 20110627  |l MUB01  |h 2325 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20110804  |l MUB01  |h 1537 
CAT |a batch  |b 00  |c 20120324  |l MUB01  |h 0126 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20120510  |l MUB01  |h 0732 
CAT |c 20120610  |l MUB01  |h 1947 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20120726  |l MUB01  |h 1016 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20130303  |l MUB01  |h 1110 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20130521  |l MUB01  |h 1502 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20130730  |l MUB01  |h 0745 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20130925  |l MUB01  |h 1614 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20140108  |l MUB01  |h 0816 
CAT |c 20140127  |l MUB01  |h 1856 
CAT |c 20141203  |l MUB01  |h 1555 
CAT |c 20150703  |l MUB01  |h 1106 
CAT |c 20150901  |l MUB01  |h 1444 
CAT |c 20150921  |l MUB01  |h 1405 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20151226  |l MUB01  |h 0023 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20180826  |l MUB01  |h 1454 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20180826  |l MUB01  |h 1504 
CAT |c 20180831  |l MUB01  |h 1055 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190109  |l MUB01  |h 1226 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190129  |l MUB01  |h 0937 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190129  |l MUB01  |h 0941 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190129  |l MUB01  |h 0952 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20190227  |l MUB01  |h 0752 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20201030  |l MUB01  |h 0223 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 0939 
CAT |c 20210614  |l MUB01  |h 1928 
CAT |a BATCH  |b 00  |c 20210724  |l MUB01  |h 1147 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20210819  |l MUB01  |h 1726 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20211230  |l MUB01  |h 0922 
CAT |a POSPEL  |b 02  |c 20230808  |l MUB01  |h 2127 
LOW |a POSLANO DO SKCR  |b 2018-08-31 
994 - 1 |l MUB01  |l MUB01  |m VYSPR  |1 PRIF  |a Přírodovědecká fakulta  |2 PRFSK  |b ÚK sklad  |3 K-9517  |5 3145345107  |8 20090701  |f 71  |f Prezenční SKLAD  |q 20180420  |r 20090701  |s dar 
AVA |a SCI50  |b PRIF  |c ÚK sklad  |d K-9517  |e available  |t K dispozici  |f 1  |g 0  |h N  |i 0  |j PRFSK