Optická odezva silně legovaných polovodičů v infračerveném oboru
Bakalářská práce se zabývá studiem optické odezvy křemíku s různými úrovněmi legování. Cílem práce je změřit spektrální závislosti propustnosti křemíku při pokojové teplotě a při nízkých teplotách a provést základní analýzu těchto spekter zkoumat vhodnost užití Drudeho modelu volných elektronů pro p...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2006.
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/106547/prif_b/ |
| Shrnutí: | Bakalářská práce se zabývá studiem optické odezvy křemíku s různými úrovněmi legování. Cílem práce je změřit spektrální závislosti propustnosti křemíku při pokojové teplotě a při nízkých teplotách a provést základní analýzu těchto spekter zkoumat vhodnost užití Drudeho modelu volných elektronů pro popis odezvy křemíku na vnější pole a identifikaci přechodů elektronů mezi příměsovými hladinami v nízkoteplotních spektrech. This work deals with study of optical response of silicon with different levels of doping. Aim of this work is measure spectral depencence of silicon transmission at room and low temperatures and analyse this spectra - weigh up how suitable is Drude's model of free electrons for description of response of silicon in external electromagnetic field and identify transitions of electrons between impurity energy levels in low temperature spectra. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Josef Humlíček. |
| Fyzický popis: | 34 l. |
| Bibliografie: | Bibliografie na s. 34. |