Využití atomic layer deposition pro přípravu TiSiO₂ vrstev - Vida, Július; Zajíčková, Lenka, 1971-; Masarykova univerzita. Ústav fyzikální elektroniky (2017)
V této bakalářské práci byly metodou depozice po atomárních vrstvách (atomic layer deposition) připraveny tenké vrstvy oxidu Ti₁-ₓSiₓO₂, s různým poměrem titanu a křemíku. Tloušťka a optické vlastnosti vrstev byly určeny pomocí elipsometrie ve viditelné a blízké ultrafialové oblasti spektra. Budoucím záměrem výzkumu nových materiálů tohoto typu je zjištování jejich dielektrických vlastností z hlediska uplatnění jako high-k dielektrika. Dalším cílem práce tedy bylo vytvořit na křemíkovém substrátu strukturu kov-oxid-polovodič (MOS) kondenzátorů. Z tohoto důvodu byla na vrstvu oxidu a také na spodní stranu substrátu nanesena hliníková vrstva. S využitím fotolitografie pak byl vytvořen vzor s mnoha kondenzátory v horní hliníkové vrstvě.
In this thesis, thin films of Ti₁-ₓSiₓO₂ oxides with different titanium-to-silicon ratio were deposited using atomic layer deposition. The thickness and optical properties of the films were determined by ellipsometry in the visible and near ultraviolet spectral range. Future research of novel Ti₁-ₓSiₓO₂ materials aims to investigate their dielectric properties because of their possible application as high-k dielectrics. Therefore, the second goal of the thesis was the preparation of structure of metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors on the silicon substrate. Aluminium thin film was deposited on the oxide film and on the silicon backside. Then, photolithography was performed to create a pattern with many capacitors in the top aluminium layer.
Vedoucí práce: Lenka Zajíčková
Bakalářská práce (Bc.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2017
Keywords: depozice tenkých vrstev; tenké vrstvy; thin film deposition; thin films; bakalářské práce; bachelor's theses