Využití atomic layer deposition pro přípravu TiSiO₂ vrstev - Vida, Július (2017)
V této bakalářské práci byly metodou depozice po atomárních vrstvách (atomic layer deposition) připraveny tenké vrstvy oxidu Ti₁-ₓSiₓO₂, s různým poměrem titanu a křemíku. Tloušťka a optické vlastnosti vrstev byly určeny pomocí elipsometrie ve viditelné a blízké ultrafialové oblasti spektra. Budoucím záměrem výzkumu nových materiálů tohoto typu je zjištování jejich dielektrických vlastností z hlediska uplatnění jako high-k dielektrika. Dalším cílem práce tedy bylo vytvořit na křemíkovém substrátu strukturu kov-oxid-polovodič (MOS) kondenzátorů. Z tohoto důvodu byla na vrstvu oxidu a také na spodní stranu substrátu nanesena hliníková vrstva. S využitím fotolitografie pak byl vytvořen vzor s mnoha kondenzátory v horní hliníkové vrstvě.