Příprava vrstevy typu Mo₂BC pomocí pulzního magnetronového naprašování a jejich analýza /
Táto práca sa zaoberá prípravou a diagnostikou Mo₂BC vrstiev, pripravených magnetrónovým naprašovaním z troch terčov. Bola použitá plazma budená pulzmi, ktorá zvyšovala počet iónov dopadajúcich na substrát, čím sa znížila teplota potrebná na tvorbu kryštalických vrstiev. V práci sa hľadajú optimálne...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Slovenština |
| Vydáno: |
2015
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/408573/prif_b/ |
| LEADER | 05401ctm a22008417i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | MUB01006342865 | ||
| 003 | CZ BrMU | ||
| 005 | 20150909115806.0 | ||
| 008 | 150625s2015 xr ||||| |||||||||||slo d | ||
| STA | |a POSLANO DO SKCR |b 2016-03-09 | ||
| 035 | |a (ISMU-VSKP)271753 | ||
| 040 | |a BOD114 |b cze |d BOD004 |e rda | ||
| 072 | 7 | |a 539 |x Fyzikální stavba hmoty. Jaderná fyzika. Molekulární fyzika |2 Konspekt |9 6 | |
| 080 | |a 621.793 |2 MRF | ||
| 080 | |a 539.216 |2 MRF | ||
| 080 | |a (043)378.22 |2 MRF | ||
| 100 | 1 | |a Debnárová, Stanislava |% UČO 408573 |* [absolvent PřírF MU] |4 dis | |
| 242 | 1 | 0 | |a Preparation of Mo₂BC type thin films by pulsed magnetron sputtering and their analysis |y eng |
| 245 | 1 | 0 | |a Příprava vrstevy typu Mo₂BC pomocí pulzního magnetronového naprašování a jejich analýza / |c Stanislava Debnárová |
| 264 | 0 | |c 2015 | |
| 300 | |a 44 listů | ||
| 336 | |a text |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |a bez média |b n |2 rdamedia | ||
| 338 | |a svazek |b nc |2 rdacarrier | ||
| 500 | |a Vedoucí práce: Pavel Souček | ||
| 502 | |a Bakalářská práce (Bc.)--Masarykova univerzita, Přírodovědecká fakulta, 2015 | ||
| 520 | 2 | |a Táto práca sa zaoberá prípravou a diagnostikou Mo₂BC vrstiev, pripravených magnetrónovým naprašovaním z troch terčov. Bola použitá plazma budená pulzmi, ktorá zvyšovala počet iónov dopadajúcich na substrát, čím sa znížila teplota potrebná na tvorbu kryštalických vrstiev. V práci sa hľadajú optimálne podmienky na depozíciu vzhľadom k maximalizácii toku iónov na substrát a stabilitu procesu. Pri týchto podmienkach sa skúma vplyv predpätia a vyhrievania substrátu na zloženie a vlastnosti vrstiev. Pomocou röntgenovej difrakcie sa skúma kryštálová štruktúra pripravených vrstiev. Metódou EDX sa určuje vplyv predpätia na chemické zloženie. Rozdiely medzi štruktúrou povrchu kryštalických a amorfných vrstiev sa skúmajú elektrónovým rastrovacím mikroskopom. Taktiež sa skúma vplyv zvýšenej teploty a použitého predpätia na mechanické vlastnosti vrstiev. |% cze | |
| 520 | 2 | 9 | |a This work concentrates on the preparation and diagnosis of Mo₂BC thin films prepared by simultaneous magnetron sputtering from three targets. Pusled DC plasma was used, which increased the number of ions impacting on the substrate. That reduced the temperature required for the formation of crystalline coatings. In this work, the optimal deposition conditions with focus on the ion flux to the substrate and the stability of the process are sought. Under these conditions, we examine the effect of bias voltage and the heating of the substrate on the composition and properties of the coatings. Using X-ray diffraction, we examine the crystalline structure of prepared thin films. EDX was used to determine the influence of the bias on the chemical composition. The differences between the structure of the surface structure of a crystalline and an amorphous coating are examined by scanning electron microscopy. |9 eng |
| 650 | 0 | 7 | |a depozice tenkých vrstev |7 ph541607 |2 czenas |
| 650 | 0 | 7 | |a tenké vrstvy |7 ph126536 |2 czenas |
| 650 | 0 | 9 | |a thin film deposition |2 eczenas |
| 650 | 0 | 9 | |a thin films |2 eczenas |
| 655 | 7 | |a bakalářské práce |7 fd132403 |2 czenas | |
| 655 | 9 | |a bachelor's theses |2 eczenas | |
| 658 | |a Aplikovaná fyzika |b Nanotechnologie - aplikovaná fyzika |c PřF B-AF NAN (NAN) |2 CZ-BrMU | ||
| 700 | 1 | |a Souček, Pavel, |d 1986- |7 mub2017974130 |% UČO 175085 |4 ths | |
| 710 | 2 | |a Masarykova univerzita. |b Ústav fyzikální elektroniky |7 xx0116219 |4 dgg | |
| 856 | 4 | 1 | |u http://is.muni.cz/th/408573/prif_b/ |
| CAT | |c 20150625 |l MUB01 |h 0421 | ||
| CAT | |a RACLAVSKA |b 02 |c 20150730 |l MUB01 |h 1110 | ||
| CAT | |c 20150901 |l MUB01 |h 1453 | ||
| CAT | |a RACLAVSKA |b 02 |c 20150908 |l MUB01 |h 1122 | ||
| CAT | |a RACLAVSKA |b 02 |c 20150908 |l MUB01 |h 1123 | ||
| CAT | |a JANA |b 02 |c 20150909 |l MUB01 |h 1158 | ||
| CAT | |c 20150921 |l MUB01 |h 1414 | ||
| CAT | |a BATCH |b 00 |c 20151226 |l MUB01 |h 0548 | ||
| CAT | |c 20160303 |l MUB01 |h 1234 | ||
| CAT | |c 20160308 |l MUB01 |h 1506 | ||
| CAT | |c 20160309 |l MUB01 |h 1108 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20171206 |l MUB01 |h 1443 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20180918 |l MUB01 |h 1318 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20190107 |l MUB01 |h 0117 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20190522 |l MUB01 |h 0748 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20191211 |l MUB01 |h 1018 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20200323 |l MUB01 |h 2339 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20201101 |l MUB01 |h 0053 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20201126 |l MUB01 |h 0114 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20210218 |l MUB01 |h 2357 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20210218 |l MUB01 |h 2358 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20210218 |l MUB01 |h 2358 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20210218 |l MUB01 |h 2359 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20210219 |l MUB01 |h 0000 | ||
| CAT | |c 20210614 |l MUB01 |h 1015 | ||
| CAT | |c 20210614 |l MUB01 |h 2002 | ||
| CAT | |a BATCH |b 00 |c 20210724 |l MUB01 |h 1238 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20221014 |l MUB01 |h 1924 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20221014 |l MUB01 |h 1925 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20230808 |l MUB01 |h 2144 | ||
| CAT | |a POSPEL |b 02 |c 20231009 |l MUB01 |h 2139 | ||
| LOW | |a POSLANO DO SKCR |b 2016-03-09 | ||
| 994 | - | 1 | |l MUB01 |l MUB01 |m VYSPR |1 PRIF |a Přírodovědecká fakulta |2 PRVFY |b ÚK volný výběr - F |3 K-F-2015-DEBN |5 3145365088 |8 20150730 |f 70 |f Prezenční |q 20180809 |r 20150721 |s dar |
| AVA | |a SCI50 |b PRIF |c ÚK volný výběr - F |d K-F-2015-DEBN |e available |t K dispozici |f 1 |g 0 |h N |i 0 |j PRVFY | ||