Elektronové excitace v topologických izolátorech
Táto práca je výsledkom skúmania skupiny 8 vzoriek vrstiev topologických izolátorov Bi₂(Se1-xTex)₃ s hrúbkami medzi 200-600 nm na substráte BaF₂. Molárna koncentrácia Bi₂Te₃ v Bi₂Se₃ pokrývala interval 0-100 %. Meranie reflektivity a elipsometrie v rôznych spektrálnych oboroch bolo použité na modelo...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Slovenština |
| Vydáno: |
2015
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/324150/prif_m/ |
| Shrnutí: | Táto práca je výsledkom skúmania skupiny 8 vzoriek vrstiev topologických izolátorov Bi₂(Se1-xTex)₃ s hrúbkami medzi 200-600 nm na substráte BaF₂. Molárna koncentrácia Bi₂Te₃ v Bi₂Se₃ pokrývala interval 0-100 %. Meranie reflektivity a elipsometrie v rôznych spektrálnych oboroch bolo použité na modelovanie dielektrických funkcií pomocou Drudeho-Lorentzovho modelu na intervale od 30 cm do 52500 cm^-1 (0,04 eV - 6,5 eV). Bola určená hrúbka vrstiev, koncentrácia voľných nositeľov, rozšírenie Drudeho členu, závislosť absorpčnej hrany na molárnej koncentrácií Bi₂Te₃ v Bi₂Se₃, spektrum vodivosti, povrchovej vodivosti a depolarizácie. This work is the result of the examination of 8 samples of layers of topological insulators Bi₂(Se1-xTex)₃ with thicknesses between 200-600 nm on the BaF₂ substrate. The molar concentration Bi₂Te₃ in Bi₂Se₃ was covering the interval 0-100 %. Reflectivity and ellipsometry measurements in spectral range 30cm^-1 to 52500cm^-1 (0,04eV - 6,5eV) were performed and Drude-Lorentz model was used to obtain dielectric functions. Thickness of the layers, concentration of free charge carriers, broadening factor of the Drude term, dependence of the absorption edge on the molar concentration Bi₂Te₃ in Bi₂Se₃, conductivity, conductance and depolarization spectrum was determined. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Adam Dubroka |
| Fyzický popis: | 78 s. |