Imaging the local density of electronic states by very low energy electron reflectivity
Tato práce se zabývá vztahem mezi odrazivostí velmi pomalých elektronů od krystalického vzorku a hustotou elektronových stavů nad vakuovou hladinou pro tento vzorek. Na příkladech monokrystalických vzorků bylo ukázáno, že tento vztah je mnohem volnější než prostá nepřímá úměra, jak vyplývá z teoreti...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Angličtina |
| Vydáno: |
2011
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/21014/prif_d/ |
| Shrnutí: | Tato práce se zabývá vztahem mezi odrazivostí velmi pomalých elektronů od krystalického vzorku a hustotou elektronových stavů nad vakuovou hladinou pro tento vzorek. Na příkladech monokrystalických vzorků bylo ukázáno, že tento vztah je mnohem volnější než prostá nepřímá úměra, jak vyplývá z teoretických výpočtů. Jsou diskutovány jevy, ovlivňující informaci obsaženou v signálu, především čistota povrchu vzorku. Jelikož různé krystalografické orientace téhož materiálu vykazují různou hustotu stavů, je užitečnost odrazivosti velmi pomalých elektronů demonstrována na určení krystalografické orientace. This work is concerned with the relationship between the reflectivity of very low energy electrons from a crystalline sample and its density of electron states above the vacuum level. Using single crystal samples, it was possible to show that there is indeed a relationship, although not one of a simple indirect proportionality as theory would predict. Various phenomena influencing the signal information are discussed, including most importantly surface cleanliness. As different crystallographic orientations of the same material exhibit different density of states, the usefulness of electron reflectivity at very low energies is demonstrated for the determination of crystallographic orientation. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Luděk Frank |
| Fyzický popis: | 81 l. |