Study of dielectric properties and mechanisms of electrical conduction of thin dielectric films prepared by PECVD - Franclová, Jana (2009)
Předložená disertační práce se zabývá mechanismy vodivosti tenkých dielektrických vrstev vytvořených plazmochemickou depozicí. Jako pracovní plyny byly při depozici použity hexamethzldisiloxan a kyslík. Meřené vrstvy, tenčí než 1mikrometr, byly v sendvičové struktuře mezi dvěmi hliněnými elektrodami. Elektrické i dielektrické vlastnosti těchto struktur byly měřeny jak při pokojové teplotě tak i při nižších teplotách. Mechanismus elektrické vodivosti není v celém rozsahu přiloženého napětí stejný. Celá naměřená V-A charakteristika může být rozdělena do tří oblastí. První oblast je při napětí nižším než 1V, druhá při napětí mezi 1V a 7V a poslední při přiloženém napětí vyšším než 7V. Dále jsme objevili, že mechanismus elektrické vodivosti se zásadně nemění v oblasti teplot od 209K do 273K. Výška bariéry v této oblasti klesá s klesající teplotou. Závislost vodivosti na frekvenci, popřípadě teplotě, může být vysvětlena několika modely. Vzhledem k naměřeným datům však nelze přesně rozhodnou.